基于自支撑技术的氮化镓HVPE生长研究及进展

在华林科纳第一届湿法培训会中，宽带隙半导体材料及制造领域专家李起鸣博士带我们一起了解氮化镓的研究及进展。

 

氮化镓（GaN）的简介：

氮化镓(GaN) ：射频半导体，支撑着5G基站及工业互联网系统的建设。

 

1：更高的击穿电场 （能承受几百A）

2：更高的热导率：Si的2倍

3：更高的电子饱和速率

4：更适合高温、高频、大功率及抗辐射器件

GaN主要特点：

 

超高熔点：＞2500 ℃，耐腐蚀、耐压 （1000 V）、耐热（800 ℃）

 

纤锌矿结构：结构非常稳定，高硬度

GaN 未来主要应用：

1、5G：

2、高功率高频器件

3、激光雷达：如无人驾驶

4、Micro LED

GaN主要生长方法：

 

 

 

氮化镓衬底HVPE生长研究及进展：

 

 

 

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