MA4AGSW1

MA4AGSW1
AlGaAs 反射式

MACOM 的 MA4AGSW1 是一种铝-镓-砷、单刀、单掷 (SPST)、PIN 二极管开关。该开关采用增强型 Al-GaAs 阳极，采用 MACOM 的专利异质结技术形成。与传统的 AlGaAs 工艺相比，该技术产生的开关损耗更少。在 50GHz 时可实现多达 0.3 dB 的插入损耗降低。该制造工艺旨在实现高器件均匀性和极低的寄生效应。二极管本身具有低串联电阻、低电容和快速开关速度。它们用氮化硅完全钝化，并具有额外的聚合物层以保护划痕。保护涂层可防止在处理和组装过程中损坏二极管结和阳极空气桥。需要片外偏置电路。AlGaAs 的高电子迁移率和 PIN 二极管的低电容使该开关成为快速开关、高频、多掷开关设计的理想选择。这些多功能 AlGaAs PIN 开关可用于各种微波应用，例如雷达系统、辐射计、测试设备和其他多组件组件的开关阵列。13926596759  www.jchxdz.com

MACOM 的 MA4AGSW1 是一款射频开关，频率为 50 MHz 至 50 GHz，插入损耗为 0.2 至 0.6 dB，隔离度为 20 至 46 dB，电源电压为 28 V。标签：表面贴装，固态。

特征

• 超宽带宽：50 MHz 至 50 GHz

• 聚合物划痕保护

• 氮化硅钝化

• MACOM 独特的 AlGaAs 异质结阳极技术。

• 低电流消耗

• 0.3分贝插入损耗

• 功能带宽：50 MHz 至 70 GHz

• 50 GHz 时 46 dB 隔离

• -5V 低损耗状态

• +10mA 用于隔离状态

产品规格

• 零件号

• MA4AGSW1

• 描述

• AlGaAs 反光

• 最小频率(MHz)

• 50

• 最大频率(MHz)

• 50000

• 插入损耗 (dB)

• 0.200

• 隔离度（分贝）

• 43

• IIP3(dBm)

• 40

• CW入射功率(W)

• 0.2

• 包裹类别

• 死

• 包裹

• 死

• ROHS指令

• 是的

ꄴ前一个： MASW20000

ꄲ后一个： MASW2040