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模拟电子技术基础/模拟电路

2023-08-26 21:19 作者:叶善静  | 我要投稿

Aug22模电学习打卡, 有两三天没进行模电打卡了, 最近时间管理的不是很到位, 分配到其他科目的时间多了, 主要目标院校的专业课相对较简单, 加之之前有学过, 所以专业课的学习时间最近会少点, 等之后会加大专业课的学习时间。今天看的是结型场效应管的结构和工作原理, 因为考纲只对结型和MOS场效应管的工作原理和应用场合有要求, 这章有这个要求, 基本是做个大概理解, 感觉挺多院校对场效应管的要求都不是很高。场效应管的工作原理感觉有一丝跟半导体物理那时候学的相像, 所加入的栅源电压为负电压, 反向, 从而能够对其沟道进行控制, 因为正向就导通了, 不方便控制, 而漏源之间则是加入正向电压, 先讨论在vGS对于沟道和iD的控制作用, 再讨论vDS对iD的控制作用, 老师这里讲的很详细, 而且通俗易懂, 我也不过赘述了, 场效应管是单极型晶体管, 由其中一种载流子工作, 而且是用电压控制电流的, 这里跟三极管是刚好反过来, 三极管是双极性, 电流控制电流, 场效应管的主要特点就是其输入电阻非常高。共勉


Aug23模电学习打卡, 今天学习的是MOS场效应管, 跟昨天的JFET结型场效应管一样, 考纲都只是作为理解即可, 这章节只要求MOSFET与JFET的工作原理及应用场合, 因为目前时间只剩122天了, 所以得根据考纲选择性的进行学习, 虽然我很想完整的学完老师的课程! MOS场效应管在上学期的半导体物理与器件课程中也有接触, 那时候是作为微观去学习, 当然过了一两个月了, 基本不记得了, 但是今天听老师讲解, 也能够迅速反应过来, MOS的输入电阻比JFET的输入电阻还要高, 增强型的场效应管在vGS=0时, 没有导电沟道, 只有在到达vT开启电压时, 才会出现沟道, 至于是什么沟道, 则要看属于哪种类型了, 耗尽型则正好相反, 在没有vGS=0时, 沟道已经存在了, 而在达到vP夹断电压时会关闭沟道, 这里的耗尽型与之前的JFET结型相似, 都是在未加电压前已经存在沟道了, 可以结合起来记忆学习。还有个需要关注的就是输出特性和转移特性, 场效应管共可分为六种不同类型, 这个输出特性和转移特性可以自己画一下, 也对理解工作原理有所帮助, 具体六个特性表格在书本145页(康华光第六版)。 共勉


Aug24模电学习打卡, 今天学习的内容是第七章模拟集成电路中的第一节, 关于模拟集成电路的偏置技术, 主要利用的是电流源电路。刘老师主要是讲解了BJT电流源, 之所以用电流源是因为集成电路中不易出现大电阻, 从而利用FET或BJT来构成电流源电路, 需注意, 电流源电路并非放大电路, 不能用来放大信号, 只是一单口网络。老师主要讲解的电路有: 镜像电流源, 高精密电流源, 微电流源, 比例电流源。其中单纯的镜像电流源误差相对较大, 而使用高精密电流源, 将使误差大大减少, 而要减少电流, 则要对电流源进行改造, 也就有了后面的微电流源, 比例电流源等等, 电流源的主要特点是: 等效电阻非常大, 可代替大电阻。今天这个属于理解要求, 并不做过多的计算要求。 共勉

Aug25模电学习打卡, 今天学习的内容是零点漂移的抑制和基本差分放大电路, 电路之间耦合方式主要有直接耦合和阻容耦合, 而在阻容耦合的时候不需要考虑零点漂移的情况, 因为有电容的存在, 微弱的信号不波动不会对输出有影响, 但是现在要讨论的是在集成电路中, 不适合使用阻容耦合, 只能用直接耦合, 而由于温度的影响, 即使在没有外加信号的情况下, 也会对输出有影响, 即输出电压偏离原来的起始点而上下飘动, 这是我们所不希望的, 所以引入了差分式结构电路, 选用两只特性全同的BJT, 电路参数对称, 工作原理是在外界产生如温度等影响的时候, 输出端的电位两端可以看作是同步增加的, 所以输出信号电压也为0, 相当于没有发生变化。这种外界信号所引起的就称之为共模信号, 其大小相等, 极性相同, 而我们要对有用信号进行放大, 则需要加入大小相同, 极性相反的信号, 也就是差模信号, 当然在实际应用中, 很难做到Uc1和Uc2的值完全相同, 此时就会产生误差, 则要在发射极加入电阻Re, 此时放大倍数下降, 其Uc1和Uc2之间的差值就相对之前小很多了。 基本放大电路分析与三极管BJT的分析类似, 但又不完全相同, 也是静态分析, 此时需注意Ib1计算时, 分母的(1+β)是*2Re的, 这是因为Re上的电流是Ie1的两倍, 分析时更多讨论的是Vc1的电位, 在RL的两端是等电位的, RL上是没有电流的, 所以Vc1=Vcc-Ic1*Rc; 接着是动态分析, 差模电压放大倍数Aud中的分母是没有(1+β)*Re, 因为在差模时Re两端是没有电流流过的(因为抵消了), 共模电压放大倍数接近于0, 共模抑制比则接近无穷大, 差模输入电阻Rid=2(Rb+rbe), 共模输入电阻Ric=1/2【Rb+rbe+(1+β)*2Re】, 输出电阻Ro=2Rc。 今天先到这里, 共勉

Aug26模电学习打卡, 今天学习的内容是45-46的差分放大电路的输入输出方式, 还有带恒流源差分放大电路, 双端输入双端输出就是上节课所讲的基本差分放大电路, 那是最标准的电路, 相对来说简单许多。对于单端输入, 双端输出来说, 其静态参数计算和动态参数计算与双端输入双端输出相类似, 基本相等, 而当单端输出的时候, 就有所区别了, 计算量还大了许多, 在计算Vc1时, 需要考虑输出电阻的存在, 双端的时候其两端电位相等, 所以相当于没有电流, 而现在不一样了, 需要考虑进去, 则需要列出电流分流的方程, 从而计算出Vc1, 在动态时, 差模电压放大倍数Aud单是双端输出的差模放大倍数的一半, 而共模放大倍数Auc单不再为0, 需要考虑Re的存在, 则在分母要加上(1+β)*2Re, 共模抑制比也有所变化, 不再趋近于∞, 但是当Re很大的时候, 共模抑制比也很大, 输入电阻同双出, 而输出电阻则只有一个Rc了, 因为是单端输出。当增大Re时, 能够减小共模放大倍数, 提高共模抑制比, 但是不能提高到很大, 因为当Re特别大时, Ic的电流就相当小了, 这是我们不想看到的, 这时候就引入了带恒流源差分放大电路, 利用恒流源来代替Re, 当然也可以用类似于分压式偏置电路代替, 因为它也是能够稳定电流, 提供大电阻。 今天先到这, 共模[抱拳]


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