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　　★第三代半导体领域所涵盖的材料技术、制造工艺技水、电子器件技术等，都是微电子产业的重要发展方向，也是国际上非常前沿、应用前景非常广阔的技术之一。第三代半导体材料基于其特有的禁带贸度大、击穿场强高、热导率大等材料性能，在半导体技术、光电子技术、电力电子技术、微波射频技水、声波滤波器运用等诸多科研和应用领域都展现出巨大的发展空间与潜力，对于我国半导体产业科技的进步和发展越来越重要。目前非常先进的关键技术，有许多还掌握在国外企业手中，国内企业和研究人员都在探索属于自己的技术方向，但国内缺乏这种能够结合产学经验的参考书籍及国际前沿技术发展的风向标。本书的及时出版，恰恰给业界同人带来了第三代半导体的技术路线参考。期望业界同人共同努力，为我国第三代半导体事业的发展做出贡献。
　　——芯恩（青岛）集成电路有限公司创始人，张汝京博士

目录

序言（张汝京）
前言
1 概述
1．1 碳化硅的历史和性质
1．2 碳化硅的应用及材料要求
1．3 碳化硅材料在应用中的注意事项
1．3．1 电子器件
1．3．2 微机电系统
1．4 碳化硅的主要生长方法
1．4．1 籽晶升华生长
1．4．2 高温化学气相沉积
1．4．3 卤化物化学气相沉积
1．4．4 改良版的物理气相传输
1．4．5 连续进料物理气相传输
1．4．6 顶部籽晶液相生长
1．4．7 碳化硅外延层技术的发展
1．5 新颍趋势和未来发展

2 碳化硅材料生长的基本原理
2．1 碳化硅晶型
2．2 表征技术
2．2．1 生长过程可视化
2．2．2 晶体表征
2．3 物理气相传输
2．3．1 简介及热力学性质
2．3．2 生长过程控制
2．3．3 碳化硅原料制备
2．3．4 碳化硅籽晶及其安装
2．3．5 晶体形状控制
2．3．6 晶体应力控制
2．3．7 气相组成对晶体的影响
2．3．8 保证晶型稳定生长的方法
2．3．9 掺杂
2．3．1 0终止生长过程
2．3．1 1通过生长参数定制晶体特性
2．4 高温化学气相沉积
2．4．1 化学气相沉积简介
2．4．2 高温化学气相沉积简介
2．4．3 实验装置
2．4．4 提高生长速率的措施
2．4．5 晶体质量与生长条件分析
2．4．6 氮掺杂效率
2．5 液相生长
2．6 缺陷
2．6．1 缺陷种类
2．6．2 缺陷的产生、演化以及减少
2．7 掺杂
2．7．1 掺杂问题
2．7．2 掺杂对基矢面位错演化的影响
2．7．3 掺杂对晶格硬度变化的影响
2．7．4 掺杂对费米能级的影响
……

3 碳化硅外延薄膜生长
4 多晶碳化硅和非晶碳化硅薄膜沉积
5 碳化硅衬底上的氮化镓生长
6 碳化硅加工工艺
7 碳化硅封装工艺
8 碳化硅应用前景及发展趋势
9 结语

参考文献
附录 本书主要名词英汉对照表

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前言/序言

　　各位读者，我和大家一样，也是一位幸运的读者！很荣幸读到以姚玉博士为代表的团队编写的第二本关于半导体制造的图书，也很开心看到一群在我国半导体产业发展道路上敢于挑战和钻研的青年，我倍感欣慰！
　　第三代半导体领域所涵盖的材料技术、制造工艺技术、电子器件技术等，都是微电子产业的重要发展方向，也是国际上最前沿、应用前景最广阔的技术之一。第三代半导体材料基于其特有的禁带宽度大、击穿场强高、热导率大等材料性能，在半导体技术、光电子技术、电力电子技术、微波射频技术、声波滤波器运用等诸多科研和应用领域都展现出巨大的发展空间与潜力，对于我国半导体产业科技的进步和发展越来越重要。
　　国内针对第三代半导体领域的探究目前有较大进展。国内导电型的SiC，6英寸以及6英寸以下的材料几乎可以达到与国外相同的水准，GaN以及AIN也有长足的进步，尽管工艺方面还有一些差距，但是制造分立器件品质可以达标。至于在满足国内巨大的市场需求方面，还有很大的发展空间。目前最先进的关键技术，有许多还掌握在国外企业手中，国内企业和研究人员都在探索属于自己的技术方向，但国内缺乏这种能够结合产学经验的参考书籍及国际前沿技术发展的风向标。本书的及时出版，恰恰给业界同人带来了第三代半导体的技术路线参考。