《炬丰科技-半导体工艺》Micro-LED 显示器量化生产关键技术

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》

文章：Micro-LED 显示器量化生产关键技术

编号：JFKJ-21-303

作者：炬丰科技

摘 要

  为快速推动 Micro-LED 显示器产业化发展，结合 Micro-LED 微显示器的性能特点、制造 工艺流程和产品应用优势，重点分析了基于硅、蓝宝石衬底的 GaN 外延生长技术、芯片侧壁原子 层沉积技术、芯片转移和晶圆级键合等技术。

关键词： 新型平板显示；微缩化发光二极管；有机化合物化学气相沉积；原子层淀积；晶圆键合

材料制造工艺与设备

  显示器产业技术正朝着高分辨率、高亮度、低功耗和柔性化快速发展，如图 1 所示，新型平板显 示技术主要包括液晶显示 （LCD）、等离子显示、有机发光二极管显示（OLED）和微缩化发光二极管显示（Micro-LED）等几类。

Micro-LED 微显示器制造工艺流程

  Micro-LED 微显示器生产制造主要包括衬底外延生长、芯片制造、电路互联键合、性能检测等环节，各环节都有相应的材料、工艺、设备等关键技术要求。Micro-LED 微显示器基本工艺流程。

Micro-LED 芯片制造 略

Micro-LED 芯片巨量转移  略

GaN 外延生长工艺技术

  Micro-LED 芯片尺寸是传统 LED 芯片的几十分之一、甚至更小，无法再使用传统的 LED 芯片 挑拣与分选技术。

芯片转移技术

  芯片转移主要是通过剥离 LED 衬底，以临时衬底承载 LED 外延薄膜层，再利用感应耦合等离子蚀刻，形成微米等级的 Micro-LED 外延薄膜结构；或者先利用感应耦合等离子蚀刻。