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BSG0811ND 英飞凌 ifineon 芯脉芯城

2023-07-07 14:23 作者:深圳芯脉实业  | 我要投稿

品牌

英飞凌

封装

TSDSON-8

批号

22+原厂代理

数量

25000

制造商

Infineon

产品种类

MOSFET

RoHS

安装风格

SMD/SMT

封装 / 箱体

TISON-8

通道数量

2 Channel

晶体管极性

N-Channel

Vds-漏源极击穿电压

25 V

Id-连续漏极电流

50 A

Rds On-漏源导通电阻

2.4 mOhms, 700 uOhms

Vgs - 栅极-源极电压

16 V

Vgs th-栅源极阈值电压

1.2 V

Qg-栅极电荷

8.4 nC, 29 nC

最小工作温度

- 55 C

最大工作温度

+ 150 C

Pd-功率耗散

6.25 W

配置

Dual

通道模式

Enhancement

高度

1.15 mm

长度

6 mm

系列

OptiMOS 5

晶体管类型

2 N-Channel

宽度

5 mm

正向跨导 - 最小值

46 S, 90 S

下降时间

1.4 ns, 2.6 ns

上升时间

4.7 ns, 4.3 ns

典型关闭延迟时间

4.3 ns, 8.8 ns

典型接通延迟时间

4.3 ns, 5.6 ns

单位重量

230 mg

型号

BSG0811ND

 

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