《炬丰科技-半导体工艺》金属氧化物半导体的制造

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》

文章：金属氧化物半导体的制造

编号：JFKJ-21-207

作者：炬丰科技

概述

CMOS制造工艺概述  

CMOS制造工艺流程  

设计规则  

互补金属氧化物半导体工艺

1.CMOS晶体管是在硅片上制造的  

2.平版印刷的过程类似于印刷机  

3.每一步，不同的材料被存放或蚀刻  

4.通过查看顶部和顶部最容易理解简化制造中的晶圆截面的过程  

逆变器截面  

要求pMOS晶体管的机身  

逆变器掩模组

晶体管和电线是由掩模定义的  

沿虚线拍摄的横截面  

详细操作的观点        略

加工设备           略