【2024畅研材科基带背】第10期 晶体缺陷五 材料科学基础 冲刺知识点带背 畅
2023-10-05 16:33 作者:盛夏之后pretty | 我要投稿
位错反应：几何条件（守恒）、能量条件（降低）
扩展位错：把一个全位错分解为两个不全位错、中间夹一个堆垛层错的整个位错组态
层错能r越小，扩展位错的宽度越大
表面：几个原子层厚度的区域，其原则排列及化学成分不同于晶体内部，称为晶体的面缺陷。分为外表面和内界面
外表面、内界面、表面能（产生单位面积新表面做的功）
晶界：大角度晶界、小角度晶界（10°）
小角度晶界：对称倾斜晶界（平行刃位错）、不对称倾斜晶界（垂直刃位错）、扭转晶界（互相交叉的螺位错）
大角度晶界：过渡结构模型、小岛结构模型、重合位置点阵模型
晶界能：形成单位界面时，系统自由能的变化
