IXFA14N85XHV-ASEMI代理艾赛斯MOS管IXFA14N85XHV

2023-06-10 09:58 作者:木子源野 0人读过 | 我要投稿

编辑：ll

型号：IXFA14N85XHV

品牌：IXYS/艾赛斯

封装：TO-263

最大漏源电流：14A

漏源击穿电压：850V

RDS（ON）Max：550mΩ

引脚数量：3

沟道类型：N沟道MOS管

特性：高功率密度、易于安装、节省的空间

芯片材质：

封装尺寸：如图

特性：高压MOS管、N沟道MOS管

工作结温：-55℃~150℃

IXFA14N85XHV场效应管

IXFA14N85XHV的电性参数：最大漏源电流14A；漏源击穿电压850V

IXFA14N85XHV应用：

开关模式和谐振模式

电源

DC-DC转换器

PFC电路

交流和直流电机驱动

机器人与伺服控制

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