SAMSUNG三星四代双倍数据率同步动态随机存储器

SAMSUNG三星四代双倍数据率同步动态随机存储器

一级代理经销商KOYUELEC光与电子

Part Number容量架构速率工作电压工作温度封装产品状态

K4A4G085WE-BCPB 4 Gb 512M x 8 2133 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 78FBGA 批量生产

K4A4G085WE-BCRC 4 Gb 512M x 8 2400 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 78FBGA 批量生产

K4A4G085WE-BCTD 4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 78FBGA 批量生产

K4A4G085WE-BIRC 4 Gb 512M x 8 2400 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA 批量生产

K4A4G085WE-BITD 4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA 批量生产

K4A4G085WF-BCTD 4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 78FBGA 批量生产

K4A4G085WF-BITD 4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA 样品

K4A4G165WE-BCPB 4 Gb 256M x 16 2133 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA 批量生产

K4A4G165WE-BCRC 4 Gb 256M x 16 2400 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA 批量生产

K4A4G165WE-BCTD 4 Gb 256M x 16 2666 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA 批量生产

K4A4G165WE-BCWE 4 Gb 256M x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA 批量生产

K4A4G165WE-BIRC 4 Gb 256M x 16 2400 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 96FBGA 批量生产

K4A4G165WE-BITD 4 Gb 256M x 16 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 96FBGA 批量生产

K4A4G165WE-BIWE 4 Gb 256M x 16 3200 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 96FBGA 批量生产

K4A4G165WF-BCTD 4 Gb 256M x 16 2666 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA 批量生产

K4A4G165WF-BITD 4 Gb 256M x 16 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 96FBGA 样品

K4A8G045WB-BCPB 8 Gb 2G x 4 2133 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 78FBGA 批量生产

K4A8G045WB-BCRC 8 Gb 2G x 4 2400 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 78FBGA 批量生产

K4A8G045WB-BCTD 8 Gb 2G x 4 2666 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 78FBGA 批量生产

K4A8G085WB-BCPB 8 Gb 1G x 8 2133 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 78FBGA 批量生产

K4A8G085WB-BCRC 8 Gb 1G x 8 2400 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 78FBGA 批量生产

K4A8G085WB-BCTD 8 Gb 1G x 8 2666 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 78FBGA 批量生产

K4A8G085WB-BIRC 8 Gb 1G x 8 2400 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA 批量生产

K4A8G085WB-BITD 8 Gb 1G x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA 批量生产

K4A8G085WC-BCPB 8 Gb 1G x 8 2133 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 78FBGA 批量生产

K4A8G085WC-BCRC 8 Gb 1G x 8 2400 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 78FBGA 批量生产

K4A8G085WC-BCTD 8 Gb 1G x 8 2666 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 78FBGA 批量生产

K4A8G085WC-BCWE 8 Gb 1G x 8 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 78FBGA 批量生产

K4A8G085WC-BITD 8 Gb 1G x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C

SAMSUNG三星ECC UDIMM M391A2K43BB1-CTD

SAMSUNG三星ECC UDIMM M391A2K43BB1-CTD

KOYUELEC光与电子

DDR四代双倍数据率同步动态随机存储器DIMM 类型ECC UDIMM容量16 GB内存区块组织2R x 8速率2666 Mbps工作电压1.2 V针脚数目288组件成分(1G x 8) x 18产品状态批量生产中

Part NumberDDRDIMM 类型容量内存区块组织速率工作电压组件成分

M378A1G44AB0-CWE四代双倍数据率同步动态随机存储器UDIMM8 GB1R x 163200 Mbps1.2 V(1G x 16) x 4

M378A1K43CB2-CPB四代双倍数据率同步动态随机存储器UDIMM8 GB1R x 82133 Mbps1.2 V(1G x 8) x 8

M378A1K43CB2-CRC四代双倍数据率同步动态随机存储器UDIMM8 GB1R x 82400 Mbps1.2 V(1G x 8) x 8

M378A1K43CB2-CTD四代双倍数据率同步动态随机存储器UDIMM8 GB1R x 82666 Mbps1.2 V(1G x 8) x 8

M378A1K43DB2-CTD四代双倍数据率同步动态随机存储器UDIMM8 GB1R x 82666 Mbps1.2 V(1G x 8) x 8

M378A1K43DB2-CVF四代双倍数据率同步动态随机存储器UDIMM8 GB1R x 82933 Mbps1.2 V(1G x 8) x 8

M378A2G43AB3-CWE四代双倍数据率同步动态随机存储器UDIMM16 GB1R x 83200 Mbps1.2 V(2G x 8) x 8