韩媒：预计三星电子将在下周宣布3nm制程量产

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据韩媒报道，知情人士表示，预计三星电子将在下周宣布采用 Gate - Al - Around ( GAA ）技术的3nm制程工艺量产。

三星表示，与现有 FinFET 相比，该技术可将面积减少45%，同时提供30％的性能提升和50％的功耗降低过程。另外，三星表示，其2nm工艺节点处于早期开发阶段，计划于2025年实现量产。