MARP-BA56

背面雪崩光电二极管 56 GBaud

MARP-BA56 是一款背照式雪崩光电二极管 (APD) 芯片。该芯片可在 1250 至 1650 nm 范围内使用，并且在与低噪声放大器耦合时能够具有非常高的灵敏度，适用于高达 56 Gb/s NRZ 和 112 Gb/s PAM4 调制的传输应用。该 APD 采用专有设计用于高量子效率和出色的可靠性，满足密封产品的 Telcordia GR-468 可靠性标准，并且符合 RoHS* 标准。该产品最适合用于密封组件。可提供用于倒装芯片应用和芯片载板 (CoC) 配置的裸片。

 

 

 

特征

• 雪崩光电二极管芯片

• 高数据速率，56 Gb/s NRZ 和 112 Gb/s PAM4

• 高灵敏度，-16 dBm

• 250 - 1650 nm 波长范围

 

 

产品规格

• 零件号

• MARP-BA56

• 描述

• 背面雪崩光电二极管 56 GBaud

• 带宽(GHz)

• 30.00

• 响应度(A/W)

• 4.20

• 电容(fF)

• 30.000

• 灵敏度

• -16

• 包装类型

• 死

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