【相机知识详解】7/10 速度是制胜的关键
本篇文章包含对果冻效应、前照式与背照式、堆栈式和DRAM层,以及Gen1~Gen6的工艺迭代的介绍与讲解。

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CV9518899 杂项
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在无反时代,CIS一个人担起了所有,因此它的速度直接代表了无反相机的性能
一、果冻效应
当读出CIS接收到的信息时,需要通过模数转换器(ADC)将模拟信号转换为数字信号。但在成本制约下,此过程只能以行为单位,逐行读出。该过程所需的时间与ADC的速度和后端芯片对数据处理的速度有关;这种曝光方式称为卷帘快门。
当某物的像水平扫过CIS时,像的下部(物体的上部)先开始和结束曝光,因此拍摄出的物体的图像会向运动的反方向倾斜,当录制视频频繁出现这种现象时,画面会像果冻一样,因此称为果冻效应。

当画面的光源闪烁时,例如交流电频闪,就相当于一个以极高速度移动的物体周期性出现,最终在画面中留下条纹。

二、CIS的结构
1.前照式(FSI)与背照式(BSI):
在OCL与CFA后,是像素层和电路层(这里的电路层的作用是传导电信号)。有些CIS的像素层上方会先是电路层,而较新的CIS则是先像素层后电路层。
以往工艺落后时,无法将电路层做在像素层下方,即滤光片后先是电路,后是像素,这种称为前照式,反之称为背照式。

相比FSI,BSI具有低功耗、低噪声、透光量高(高QE)的优点。近期随着FSI技术的提升,透光量低和高噪声的问题有了较大改善,但功耗依然很高。
目前绝大多数SONY的CIS均为背照式(截至目前,SONY的A6000系列APS-C画幅相机使用的为前照式),绝大多数Canon的CIS为前照式,这使得即便二者电池的容量相似,但Canon的微单续航要比SONY的新机型短。
2.堆栈(Stacked)式:也称堆叠式。
在非堆栈CIS上,除了像素本身占用面积,还有处理电路(与FSI、BSI中的电路不是同一个),其作用主要是对ADC后的电信号进行预处理,布置在感光区域的外围。
和CPU一样,它的制程在一定程度上越高越好。普通的CIS在晶圆上进行光刻时,只能采用相同的制程,因此为了提高制程和处理的效率,将处理电路和像素分别制作后堆叠在一起,称为堆叠式传感器。
堆叠式传感器大幅提高了读取速度,此外由于将处理电路放在了感光区域的下方,因此减小了CIS的体积。

世界首款堆叠式CIS由SONY开发并首先应用在手机上,SONY给其商标为Exmor RS(BSI为Exmor R)。
目前堆叠式CIS主要运用在手机CIS上,近年几乎所有手机CIS都为堆叠式;在相机上只有极少数采用堆叠式CIS,其中包含SONY的速度旗舰α1和α9的CIS。
3.DRAM层(DRAM,Dynamic RAM):
在堆叠式中,电信号的处理速度大幅提升,但若不及时输出,仍会限制读出速度加剧果冻效应。因此加设DRAM层以临时存储数据,可大幅提升读取速度。
α1采用的CIS中便有DRAM层,因而能做到4ms的读取速度,在民用CMOS微单中首次做到电子快门的闪光灯同步。
4.CIS的工艺与结构:
Gen1为普通的背照式(前照式是最传统的,在Gen1之前),Gen2为普通的堆叠BSI。
Gen4为Gen2升级,加入第三层堆叠(例如上文提到的DRAM)。Gen3也为Gen2的升级,将硅穿孔(TSV)改成DBI,从只能在芯片周围开孔改为可以在芯片的任意位置开孔。
Gen5为Gen3升级,可以做到像素级的直连。Gen6在Gen5的基础上做到3层堆叠。具体的我也不会了,看到过的图片都放上了。
图一:SONY采用DBI的CIS不需要专门的TSV区域,因此像素面积占比更高

图二:像素直连可以在像素区域的下方,而TSV只能在像素的周围


更先进的工艺不会直接影响CIS成像的画质,其根本目的是提高CIS的速度和增加一些其它的功能,从而如在手机上,可以在相同时间内得到更多的图像,达到更好的HDR合成等等。
目前手机CIS中,已知的Gen4为imx345、imx400; Gen5为imx563;Gen6为imx445、imx555、imx557.
对于相机,提升CIS速度的好处不仅仅是减少了果冻效应。由于无反相机的对焦工作也依赖于CIS,因此CIS的速度提升后还可以提高相机追焦、测光等的速度,例如α9可以做到每秒60次对焦测光计算,而α1更是高达120次。

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下一篇涉及机械快门、电子前帘、电子全域快门的讲解
将于2.16左右发布
我不是专门学这个的,这些知识都是我在购买相机前,以及个人兴趣从网上的文章中学的,结合自己的理解写的这一系列的文章。或因为原文章本身有误,或因为我的记忆或理解出现差错,不能保证文章的内容都是正确的。如果文章中有错误,可以在评论区指出或私信与我讨论。