第三代半导体SiC、GaN行业投资报告（附下载）

第809期

氮化镓特性及发展历史 

GaN的先天优势明显：宽禁带、高击穿电压、高频、耐高温、高功率密度

氮化镓，分子式GaN，是氮和镓的化合物； 

氮化镓是宽禁带材料，其禁带宽度（3.4eV）是硅（1.1eV）的3倍，可制造高耐压器件； 击穿电场是硅材料的10倍，功率密度比砷化镓器件高十倍，器件可小型化；

电子饱和漂移速度高，可制备高频器件(300GHz)，适用于5G以上通讯；热导率大，更高的工作环境温度(300℃以上)， 在宽波谱、高功率、高效率的微电子、电力电子、光电子等器件方面有领先地位。

来源：品利基金

作者：佚名

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