三星最新的存储芯片将早期模块的速度提高了一倍以上

三星电子有限公司已经开发出一种新型的随机存取存储芯片，它使用一种称为高k金属栅极技术的创新技术，该技术可以提供比上一代存储模块更高的性能两倍。

三星今天详细介绍了该芯片（如图）。该公司将其针对处理器密集型企业用例，例如超级计算，机器学习和分析。 

RAM芯片由许多称为单元的微小电路组成，随着三星等制造商不断完善其制造技术，这些电路已经变得越来越小。单元越小，它们可以安装在单个芯片上的数量就越多，从而增加了容量和性能。但是需要权衡：RAM电路像所有电路一样，随着尺寸的缩小，变得更容易受到称为量子隧穿的微观现象的影响。 

存储器单元以电子形式存储数据。量子隧穿使这些电子偶尔离开细胞，这种现象加起来降低了存储芯片的整体效率，从而降低了性能。高k金属栅极技术是三星快速新芯片的基础上的创新，可通过减轻量子隧穿效应来提高性能。

该技术用一种更难于电子穿过的材料来交换芯片存储单元中的一些硅。该公司表示，结果是每秒7200兆位的最大数据传输速度。这是DDR4支持的最大速度的两倍以上，DDR4是为当今市场上许多存储模块提供动力的行业规范。

三星快速的新芯片基于标准的最新版本DDR5，并提供512 GB的容量。该芯片由四个包含八层的内存“堆栈”组成。每一层又可以容纳16 GB的数据，并通过称为贯通硅通孔的微型电气连接与模块的其余部分相连。硅通孔比传统的布线技术更有效率，因为它们直接嵌入到芯片中，这使电子可以更短地到达目的地。

增加内存速度有助于提高整体设备性能。更快的RAM模块使系统的处理器能够在执行计算时更快地获取和写入数据。 

三星表示，除了速度更快之外，其新芯片还具有另一个优势：更节能。与现有技术相比，该公司承诺将减少约13％的电力消耗。效率的提高将为边缘计算设备和自动驾驶汽车带来福音，它们必须在性能要求与电池尺寸限制之间取得平衡。

三星表示，已经开始向客户提供基于新技术的芯片样品。