化学气相沉积与物理气相沉积区别

有3点不同，相关介绍具体如下：

一、两者的特点不同：

1、物理气相沉积法的特点：物理气相沉积法的沉积粒子能量可调节，反应活性高。通过等离子体或离子束介人，可以获得所需的沉积粒子能量进行镀膜，提高膜层质量。通过等离子体的非平衡过程提高反应活性。

2、化学气相沉积法的特点：能得到纯度高、致密性好、残余应力小、结晶良好的薄膜镀层。由于反应气体、反应产物和基体的相互扩散，可以得到附着力好的膜层，这对表面钝化、抗蚀及耐磨等表面增强膜是很重要的。

二、两者的实质不同：

1、物理气相沉积是制备材料常见的方法，是一种利用气相中发生的物理、化学变化，在物件表面形成具有特殊性能 (例如超硬耐磨层或具有特殊的光学、电学性能)的金属或化合物涂层的技术。

两种沉积技术最主要的区别在于是否发生化学反应。 

2、化学气相沉积（Chemical vapor Deposition, CVD）技术中，沉积原料并不是基片上沉积的物质， 必须通过化学反应再在基片上沉积。 而物理气相沉积（Physical vapor Deposition, PVD），并不需要发生化学反应，其只是通过各种方法（如加热蒸发，溅射等等），将源材料气化，然后沉积于基片表面成膜， 沉积前后的物质都是一样的。

三、两者的应用不同：

1、物理气相沉积法的应用：物理气相沉积技术已广泛用于各行各业，许多技术已实现工业化生产。

2、化学气相沉积法的应用：化学气相沉积法的镀膜产品涉及到许多实用领域。