CdSe/ZnTe Ⅱ型核壳量子点/核壳型功能/SiC碳化硅量子点的制备方法

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SiC碳化硅量子点的制备方法：

采用化学偶联法,通过调整腐蚀剂组分及其相对含量,一步法实现了碳化硅量子点(SiC-QDs)表面物化特性的有效调控.研究表明:经硝酸(HNO3)和氢氟酸(HF)混合腐蚀剂腐蚀纳米β-SiC粉末,通过超声空化破碎分散及高速离心处理,可获得SiC-QDs水相溶液,并一步法实现了表面修饰,在其表面形成了-COO,-OH等亲有机物功能基团.采用浓硫酸(H2SO4)为偶联剂,制备出表面具有巯基(-SH)的SiC-QDs水相溶液.腐蚀剂组分的相对含量对于SiC-QDs的光致发光强度与表面巯基的形成影响较大.在波长为340 nm的激发光激发下,SiC-QDs具有最大的发光强度,随着腐蚀剂中H2SO4含量的增加,其光致发光强度呈现降低趋势.

CdSe/ZnTe Ⅱ型核壳量子点的制备研究：
巯基丙酸(MPA)修饰的CdSe/ZnTe Ⅱ型核壳结构量子点的制备及其表征水相制备ZnTe量子点一直是量子点合成的难点,很少有突破。选择了以巯基丙酸(MPA)为稳定剂,以CdSe量子点作核,ZnCl2和Te为壳前驱体原料料,首次创建了在水相中方便、快速合成CdSe/ZnTe Ⅱ型核壳结构半导体量子点的新方法。实验结果表明,包覆ZnTe壳层后,量子点的发光强度和稳定性都有明显提高,并且通过改变制备条件(如:反应温度、回流时间、pH大小、壳厚度)能够改变发射波长。通过光谱表征发现,制备的CdSe/ZnTe Ⅱ型核壳结构的量子点发射波长范围较宽,其荧光发射光谱500—573nm范围内连续可调,量子效率较高,其最大荧光量子产率可达到6.8%。利用X-射线衍射的方法表征了所制备的CdSe/ZnTe Ⅱ型核壳结构量子点。结果表明制备的量子点的尺寸在3.2nm左右。

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