STC电调器件选型及原理图剖析

    对于主芯片没什么特别需要说明的，可能让有的同学好奇的是为啥主芯片周围没有晶振电路呢？这是因为采用的芯片内部时钟，一是为了节省面积，二由于板子体积较小，对于晶振干扰较大。如果自己想加的话，在晶振周围圈一块地铜进行隔离。但内部时钟也能用，虽然没那么精准。对于下载，可以引出四个焊点，用烧录探针进行烧录(USB转TTL)，或者直接焊导线引出也可以。对于下载部分常见的出问题地方：1.设定单片机的运行时钟频率(硬件选项下面)

2.波特率是否设置  3.接线是否一致(TX接RX)  从PWM输入那一部分引出的5V，可以起一个检测作用(是否工作)，是否去带动外部设备，取决于你的电源部分 3.接地是必须的，只有在一个地平面，才能下载。

    对于FD6288Q(也可以用EG2132或EG2113)，这一款芯片性价比高，体积也小巧。

有同学可能好奇，假设MOS管的Vgs是8v，那对于高臂桥的NMOS，它的源极是有接近电源电压的，那G极应该是要8+电源电压的，而这一管脚输出电压却是最高只有电源电压，会不会根本导通不了呢？这就要提到自举二极管和自举电容的作用了，若第一幅图的下桥臂导通，则电源->二极管->电容(虽说电容隔直流，但在导通的一瞬间不是直流状态)->下桥臂->地，在电容充满后截止，而二极管起到了防止充满后电容的放电路径。

对于二极管，不仅需要选压降低的(降低功耗，减少压差消耗)还要自恢复时间短(防止电容的电荷放完)，我个人推荐选1N5819W，比较合适。

对自举电容，可以用 C = Qg/(VCC-Vf)，Vf为二极管压降，Qg为MOS管导通栅极所需电荷量。(计算完后可以选用临近的常用容值)，滤波电容一般选择大于10倍自举电容，可以再并一个104电容，加强滤波。

栅极电阻一般选用5-10Ω(减少振铃现象)，也有精准的计算公式，但是比较麻烦，若有需要，下一期可以解释解释。

对于双向TVS，加入可以吸收浪涌电压。

对于NMOS管的选型，主要在于两个参数 Vgs(要求在±20V)以及Qg(影响自举电容的选取)，对于Rds能小自然更好，对于逐飞的那一款MOS，性价比不高，这里我推荐一款场效应管(MOSFET)/N沟道 40V 68A WSD4070DN价格不贵，一块多一点。

对于ADC的采集，STC单片机的最大的电压是5v，可以加一个TVS管，防止接入电压过高或器件损坏导致ADC口烧坏，我推荐的型号是 SMF5.0A

对于电路的供电，可以选用同步BUCK降压(可以选用优信的SY系列)加LDO的方式，效率高。对于LDO的选型，一般LDO的效率在40%-50%左右，50%都算高的，选输出150mA的差不多，可以选用封装小的，减小体积。

对于电调外加的220uF的点解电容，尽量加上，减少电流过大的过载过流现象，抑制干扰。

对于布板地平面的分割，空间够可以分割。

以上便是对于硬件电路的分析，欢迎留言，PCB将在后续推出！