TAg0.1银铜合金化学成份

TAg0.1银铜合金

标准：GB/T 4423-1992

将处理好的 C17200 试样和 Ta 靶分别放置于工件支撑台和源极吊挂装置上， 调整试样与 Ta 靶极间距为 18-20 mm， 盖上辅助阴极盖， 封闭真空室。 然后抽真空至 3 Pa 以下，通入 Ar。 当气压稳定在 35 Pa 后， 调节电源电压或电流， 加热工件， 工件升温到指定温度后保温一定时间， 实验结束后， 通入 Ar， 在 Ar 氛围中冷却 2 h 后， 关闭电源。

特性及适用范围

具有很好的耐磨性，电接触性和耐蚀性。有良好的导电、导热、耐蚀和加工性能,可以焊接和钎焊。含降低导电、导热性杂质较少,微量的氧对导电、导热和加工等性能影响不大，但易引起“氢病”，不宜在高温（如>370℃）还原性气氛中加工（退火、焊接等）和使用。

工作气压： 工作气压是维持辉光放电以产生空心阴极效应的基本条件。气压影响电流密度、 源极溅射量、 活性原子的运输以及粒子在基体表面的吸附与扩散等。 气压的综合作用表现在对于源极欲渗金属的供给及基体的吸附能力， 影响 Ta 涂层的形成。根据前期工艺优化实验结果， 本课题研究气压为 35 Pa。

化学成份

铜+银 CuAg：≥99.5 Ag 0.06——0.12

铋 Bi：≤0.002

铍 Sb ：≤0.005

砷 As ：≤0.01

铁 Fe：≤0.05

镍 Ni：≤0.2

铅 Pb：≤0.01

锡 Sn ：≤0.05

硫 S ：≤0.01

氧 O：≤0.01

渗 Ta 温度： 渗金属温度对合金层的组织成分产生较大影响。 根据 Cu-Ta 二元 相图 ， 1084 ℃以下时， Cu 与 Ta 互不固溶， 因此 C17200 铜基合金渗 Ta 后， 表面应形成以 Ta 为主要元素的沉积层（本文称 Ta 涂层） 。 铍铜的热处理温度一般为780-820 ℃， 为避免渗金属温度过高造成基材组织粗大， 本课题选择 750 ℃、 800 ℃、850 ℃分别进行渗 Ta 研究。

参考对应钢号

我国GB——TAg0.1，美国ASTM—C10400,德国DIN标准CuAg0.1，日本JIS标准—C10400，国际ISO标准—CuAg0.1

渗金属时间： 渗层厚度与渗金属时间之间呈抛物线规律。 在渗金属温度试验 基础上， 本课题选择 800 ℃不同时间渗 Ta， 时间系列为 0.5 h、 1 h、 2 h 和 3 h， 研究 Ta涂层生长机理及较为适宜的工艺参数。

力学性能

抗拉强度 σb (MPa)：≥275

伸长率 δ10 (%)：≥5

伸长率 δ5 (%)：≥10

注 ：棒材的纵向室温拉伸力学性能

试样尺寸：直径或对边距离5～40

试样与源极距离： 极间距主要影响合金元素在辉光放电空间中的运输过程，从而影响渗层形成过程。 DGPSA 中， 极间距通常在 10-30 mm 范围内， 本课研究极间距为 18 mm。

热处理规范

热加工温度900～1050℃;退火温度500～700℃;冷作硬化铜的再结晶开始温度200～300℃。

渗 C 设备用太原理工大学自主研发的 TYUT 型微波等离子化学气相沉积装置 ，由矩形波导、 圆柱形谐振腔、 沉积台、 环形石英介质窗口等组成。