概述

快充需求推动了高密度适配器的蓬勃发展。在实际的适配器设计中，花样繁多的新型开关功率器件、拓扑和控制方案不计其数。

随着各种尖端技术的引入，适配器产品的功率密度也显著提高。1W/cm3 已成为高密度适配器的常规标准，这至少两倍于五年前的市场产品。然而，密度增加了，应用级别的产品设计难度也水涨船高，逐渐被推向极限。设计人员必须不断进取，才能超越传统解决方案的限制。

隔离要求

适配器设计中最关键的挑战之一来自隔离要求。根据安全法规标准，适配器需要在原边的高压电路和副边的低压电路之间增强绝缘。在传统解决方案中，隔离控制通常由光耦合器实现（参见图 1）。但光耦合器仅在相对较低的带宽下传输补偿信号，用于输出调节； 在这种条件之下，光耦合器无法实现原边 MOSFET 和SR MOSFET的同步。

因此，传统方案中的SR控制只能通过监测副边绕组电压来实现。由于 SR MOSFET 只能在原边 MOSFET 导通之后才能关断，因此在连续导通模式 (CCM) 工作期间，始终存在击穿。如果 SR MOSFET 不能足够快地关断，持续的击穿可能会导致较大的反向电流和高电压尖峰。这些高应力会导致严重的可靠性问题。为避免这些问题，通常建议实施布局限制并使用大型缓冲器。然而，组件尺寸的增大和功耗的增加又进一步限制了功率密度。

容性隔离解决方案

MPX2002和 MPX2003 是一种颇为有效的一体化解决方案，它将容性隔离集成到反激式和 SR 组合控制器中。 如图 2 所示，该方案中集成的一对高压电容器可以承受 4500VRMS 达60秒。这样的隔离耐受电压额定值完全能够满足大多数安全法规中的增强隔离要求。此外，它在高压电容器之间建立起高速通信通道，能够实现 SR 和原边开关之间可靠而精确的同步。

如图 3所示，在所有工作条件下，IC 的内部逻辑都能够保证 SR栅极与原边反激栅极之间典型的 30ns 死区时间。这极大地降低了 CCM 期间的击穿风险，从而无需使用超大缓冲器来应对击穿引起的高压应力。

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