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12N65-ASEMI高压N沟道MOS管12N65

2023-03-11 13:15 作者:木子源野  | 我要投稿

编辑:ll

12N65-ASEMI高压N沟道MOS管12N65

型号:12N65

品牌:ASEMI

封装:TO-220

最大漏源电流:12A

漏源击穿电压:650V

RDS(ON)Max:0.68Ω

引脚数量:3

芯片个数:

沟道类型:N沟道MOS管、高压MOS管

漏电流:ua

特性:N沟道MOS管、场效应管

工作温度:-55℃~150℃

备受欢迎的12N65 MOS管

  ASEMI品牌12N65是采用工艺芯片,该芯片具有良好的稳定性及抗冲击能力,能够持续保证了12N65的最大漏源电流12A,漏源击穿电压650V.

•细节体现差距

12N65,ASEMI品牌,工艺芯片,工艺制造,该产品稳定性高,抗冲击能力强。

12N65具体参数为:最大漏源电流:12A,漏源击穿电压:650V,反向恢复时间: ns,封装:TO-220


12N65-ASEMI高压N沟道MOS管12N65的评论 (共 条)

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