11-放大器的频率响应2

第六章 放大器的频率响应

由上一篇笔记中结合器件讨论过的MOS电容模型可以知道，对于MOS器件来说，CDB和CSB通常远小于其他电容可忽略不计；在晶体管开启时由于沟道隔断的作用，CGB=0；电容CGS是其最大的寄生电容；对于CGD直接跨接在输入输出节点之间的情况，由于密勒等效要乘上与增益有关的系数，因此CGD项不可忽略。总结来说就是，对于MOS的电容，我们通常主要考虑的是CGS和直接跨接在两个节点之间的CGD。

也可以通过仿真看MOS管的寄生参数，由器件的表达式知道不同的尺寸会带来不同的结果，远小于远大于的概念并不是绝对的。

这里我用的是tsmc18工艺

然后就可以愉快地学习频率响应的章节了！

优化了一下我的学前班傻瓜笔记放出来：因为我大学原来是文科专业，一直到大二上快期中的时候突发奇想转专业了，平级转专业我啥也不会十分酸爽，所以我写的很详（啰）细（嗦）：（西安交大张鸿老师和我的母校陈老师的课我都看过，我的笔记里从零极点的内容到模电的内容都有提及）PDF版本文末自取

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第六章 频率响应

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第七章 噪声

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