书籍：《炬丰科技-半导体工艺》

文章：激光金属有机合成氮化镓技术工艺

编号：JFKJ-21-054

作者：炬丰科技

介绍

  半导体材料是现代电子产品的支柱。从发光二极管 (LED)到构成计算机芯片的晶体管，半导体材料几乎在日常生活的方方面面都发挥着作用。一组特定的半导体，称为 III-V 族半导体，因其宽、直接的带隙和高载流子迁移率而特别受追捧，用于光电子学。

标签“III-V”来自于这些材料是由化合物制成的

一种元素来自元素周期表第三列，一种元素来自元素周期表

  在 III-V 族半导体中，氮化镓 (GaN) 因其独特的物理和光学特性而引起了科学家和工程师的兴趣。

1.1 氮化镓的特性

  GaN 是一种 III-V 族半导体，由过渡后金属镓和非金属氮组成。GaN 具有纤锌矿晶体结构，见图 1.1 。GaN 具有高热容量、5×106 V/cm 的高击穿场和 2.3 W/(cm×K)的高热导率。这意味着 GaN 在物理上是一种非常坚固的材料可用于涉及高温和功率的应用。它还具有优异的光电性能。

  GaN 在 300 K 时具有 3.39 eV 的宽直接带隙。纤锌矿GaN的能带结构见图1.2。具有直接带隙的材料可以发射光子，因为当电子在价带和导带之间移动时没有动量变化。可以确定带隙GaN 的波长为 365 nm。这意味着纯 GaN 可以发射的最短波长为 365 nm，处于光谱的紫外线 (UV) 范围内。

1.1 应用   略

 1.2 合成   略

  1.4动机和目标  略

 实验实现   略

 2.1 实验设置  略

2.2样品实验   略

2.2样品制备   略

2.3实验执行   略

 2.4表征技术  略

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