在学习基准电路的时候，我们会用到“自偏置”这样的一个定义。

可以发现，每个“自偏置”电路中，都有这么一个环，那么为什么会有这个环呢？

首先，这个环一定是正反馈环吗？不一定，正负反馈环都可以。比如下图，左边的是正反馈，右边的是负反馈（峰值型，需设置好R）。

先说结论：这个环源自于“自偏置”的定义。

为什么需要自偏置？我们希望基准与PVT无关，自偏置就是为了应对V。定义“敏感度”（Sensitivity）为基准电压百分比关于VDD百分比的变化。

（这里的Sensitivity应该区别于PSR，PSR包含频率响应，而Sensitivity只有dc量。）

敏感度越低越好。

再来说说基准源的产生。

我们知道电路的每一条支路都不可避免地要从VDD获取供电，那么一定会有从地到电源的串联分压。

观察小信号的ΔVb，这个量如果要趋于0，那么就需要r1/r2趋于无穷大，也就是说r1越大越好，r2越小越好。

这对应的其实就是电流源+电压源的搭配（小信号中）。

电压源的特性是很小的ΔV产生很大的ΔI，无论是MOS管的平方律，还是Bipolar管的指数律，都可以近似满足。

但是电流源就没那么好产生了，一般MOS电流源都需要一个偏置电压，而为了更好的Sensitivity，我们希望这个偏置电压与VDD无关。

那么从哪儿产生这个偏置电压呢？要肯定的是，这个偏置电压的产生电路不可避免地还要经过VDD，还是会有一个分压，那么我们接着采用电压源+电流源的分压形式。问题又来了，这儿又有一个电流源，它还需要一个电压来偏置。

这时我们想到，我第一步不就产生了这个很好的基准吗，我拿它来偏这个电流源岂不是更好？

自偏置电路就这么产生了，我们再理一下逻辑：

所有的电路都必须经过VDD的供电，必须由VDD的一个分压提供。当这个分压是电压源与电流源搭配的时候，基准的敏感度最小。但电流源需要偏置，偏置电路也是由VDD分压产生的，我们也希望它对VDD的敏感度小，所以也是电压源+电流源。那就又出现了一个电流源，又需要偏置，正好我们第一步就产生了一个很好的基准电压，拿它来偏这个电流源最合适不过了。

于是，这里必有一个反馈环路的存在。所谓“自偏置”，就是有个环在这里，才能“自己偏置自己”。

有个有疑问的地方，baker的教材中说以下这个图中的差分对是自偏置：

我们看它的共模：

下面那个管子的漏极与栅级之间就插了一个MOS管的VDS进去，还是可以看成一个二极管。那这其实不就是两个二极管的串联吗？何来自偏置一说呢？

我觉得这里“自偏置”的概念可能跟前面“自偏置”的概念不一样。这里指的是运放的偏置从运放本身产生，而不借助于外部电路。两个二极管串起来的电路肯定受VDD的影响大一些，但是它并不是产生基准的，而是提供放大倍数，所以只需要增益够大就行。

像下面这种我觉得才是真正的“自偏置”运放。M8到M2到M4到M7，形成了一个“自偏置”的回路。