NPT25100B

GaN 放大器 28 V，125 W，2.1 - 2.7 GHz

NPT25100 硅基 GaN HEMT D 型放大器针对 2.1 - 2.7 GHz 运行进行了优化。该器件支持 CW、脉冲和线性操作，输出功率水平高达 125 W，采用带螺栓固定法兰的行业标准塑料封装。

特征

• 高可靠性镀金工艺

• 热增强行业标准封装

• 100% 射频测试

• 可在高达 32V 的电压下运行

• 10W 线性功率 @ 2.0% EVM，用于单载波 OFDM，10.3dB 峰值/平均值，10MHz 信道带宽，16.5dB 增益，26% 效率

• 90W P3dB 连续波功率

• 125W P3dB 峰包功率

• 符合 RoHS 标准

产品规格

• 零件号

• NPT25100B

• 描述

• GaN 放大器 28 V，125 W，2.1 - 2.7 GHz

• 最小频率(MHz)

• 2100

• 最大频率(MHz)

• 2700

• 电源电压(V)

• 28

• PSAT(W)

• 125.0

• 增益（分贝）

• 16.5

• 效率

• 26

• 测试频率(GHz)

• 2.50

• 包裹

• 法兰陶瓷包

• 包裹类别

• 陶瓷制品

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