作业笔记·模电童诗白第五版第二章自测题答案解析

第二章是重点章，更自测题和习题两篇。自测题于课本第114页。

解析：

（1）x。因为放大电压或电流都可称电路具有放大作用。

（2）√。放大电路一定有功率的放大。

（3）×。放大电路中的输出电流和电压由直流电源提供，而不是有源器件。

（4）×。除了由信号源提供，电路内部本身也可能把直流信号进行一些处理变成交流信号。

（5）√。放大是增益能量，必须配电源。

（6）×。比如输入直流信号也能放大输出直流信号。

（7）×。底部失真可能是饱和失真也可能是截止失真。PNP型管组成的共射放大电路，输出电压波形底部失真为截止失真。我们知道NPN型管的正向特性曲线在第一象限如图所示：

NPN型管的特性曲线中，如果Q点过高造成饱和失真而使波形底部失真、截止失真造成波形的顶部失真；而PNP型管的特性曲线与之中心对称，所以其底部失真为截止失真造成。

a不能。分析交流信号时，直流电源对于交流信号来说相当于短路，所以不能输入进去，即Rb上还是走常数直流电流。

b可能。图b是阻容耦合的共射放大电路，可以输入交流信号。

c不能。图c是PNP型管，直流电源VBB使发射结反偏，使晶体管截止，输入信号发生截止失真。放大的前提是不失真，所以不能放大。

d不能。VBB直接作用于三极管的发射结时没有限流电阻RB，导致基极电流过大而损坏。

e不能。电容对于交流信号也是短路，输入信号被C2与直流电源VCC短路，输不进来。

f不能。因为输出信号被VCC短路，输出不去。

g可能。g电路为N沟道耗尽型MOS管组成的共源放大电路，可以设置静态时UGSQ=0

h可能。h电路为N沟道结型场效应管组成的共源放大电路。静态时自给偏压为负。

i不能。i为P沟道增强型MOS管组成的共源放大电路，开启电压小于0。而G接ui为正电平，所以UGS＞0，不可能小于开启电压，所以PMOS在截止区。不能放大。

第三题是一个共射放大电路。

（1）欧姆定律。基极电阻=基极压降/基极电流=VCC-VBEQ再除以IBQ，代入数值得565kΩ。集电极极电阻=发射极压降/集电极电流=VCC-VCEQ再除以ICQ，代入数值得Rc=3kΩ

（2）共射放大电路是反相放大，放大倍数为-Uo/Ui，代入数值得-120

（3）带上负载后，等效电路是将直流电源VCC和电容C2短路，所以此时的共发射极输出信号Uo的电阻由原来的Rc变成Rc//RL，化简得0.3V。

还是上一题的共发射极放大电路

（1）最大不失真输出电压要用图解法。

图片引用自：【(模电)模拟电子技术基础第1-9章习题讲解(全)】 https://www.bilibili.com/video/BV1i14y1b7TM/?p=24&;share_source=copy_web&vd_source=14faf9806976c8eabdd7faee4ea1520e

如图所示，静态工作点之所以叫“点”，正是伏安特性曲线图上的交点。我们先画出VCC回路上的直流负载线，然后标记静态工作点Q。我们再过Q画出交流负载线，其横截距要根据Q点和斜率来求，由此我们可以看出“先静态后动态”的代数意义。

由于对负载电容的处理不同（直流断路交流短路），直流负载线和交流负载线的斜率也不同，交流负载线的斜率是-1/(Rc//RL)，所以横轴的交点VCC'是UCEQ+ICQ(Rc//RL)=6+2·3/2=9V

然后我们再看饱和失真和截止失真之间的限幅。一般饱和管压降默认是0.7V，所以在本题中截止失真更近是9-6=3V，有效值是交流信号的峰值除以√2，所以有效值≈2V

（2）放大倍数的表达式是从等效电路、欧姆定律推出来的，Rw减小，输入电阻减小，则放大倍数增大

（3）由题意得，调节Rw使放大倍数最大，易得发射极电流最大时放大倍数最大，即在伏安特性图上体现为负载线上的Q点向左上方移动，所以先出现的是饱和失真，NPN型管在波形会造成底部失真。

（4）由（3）可得此时需要将Q点右下移动，即增大uce。常用的一种方法是调节滑动变阻Rc以减小其分压。所以选B

现有直接耦合基本放大电路：

这五张电路图得从课本里现找，有些麻烦。而且这个图2.7.9a我还没找到，倒是有个图2.6.9a的是共漏放大电路

由上述图知，输入电阻最小的是共栅和共基，但题目的选项中没有共栅，所以只选共基。

输入电阻最大的是共漏和共集，同时也是输出电阻最小的。所以第2题应该是B、E，同时这两个也没有电压放大作用。没有电流放大作用的是共栅和共基。高频特性最好的是共基。共射和共漏是反相放大，其余是正相放大。