LVDS接口静电ESD保护方案设计图（专业）

关于LVDS接口静电ESD保护方案，之前就科普过。今天，东沃电子技术为大家分享最新的LVDS接口ESD静电保护方案图，如下：

从图中可以看出，LVDS接口静电保护方案从集成ESD器件和分立ESD器件来设计的。集成ESD器件保护方案选用了ESD二极管DW05M2T-S，具体参数详情如下：

工作电压：5V

击穿电压：6V

钳位电压：16.7V

峰值脉冲电流：18A

峰值脉冲功率：300W

结电容：100pF

漏电流：1uA

封装形式：SOT-23

分立ESD器件保护方案选用了2个ESD二极管DW03DLC-B-S，具体参数详情如下：工作电压：3.3V

击穿电压：4V

钳位电压：19V

峰值脉冲电流：20A

峰值脉冲功率：350W

结电容：1pF

漏电流：1uA

封装形式：SOD-323

 想了解更多有关LVDS接口静电（ESD）防护方案，东沃电子从方案设计、EMC测试、器件选型、样品申请等一站式为您服务！