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半导体的出现成为20世纪现代物理学其中-项最重大的突破，标志着电子技术的诞生。而由于不同领域的实际需要，促使半导体器件自此分别向两

个分支快速发展，其中一 个分支即是以集成电路为代表的微电子器件,特点为小功率、集成化， 作为信息的检出、传送和处理的工具;而另一类就是

电力电子器件，特点为大功率、快速化。1955年， 美国通用电 气公司发表了世界上第一个以硅单晶为半导体整流材料的硅整流器(SR) ，1957年又

发表了全球首个用于功率转换和控制的可控硅整流器(SCR) 。由于它们具有体积小、量轻、效率高、寿命长的优势,尤其是SCR能以微小的电流

控制较大的功率，让半导体电力电子器件成功从弱电控制领域进入了强电控制领域、大功率控制领域。在整流器的应用上，晶闸管迅速取代了水银整

流器(引燃管)， 使得整流器固体化、静止化和无触点化,并显著的节省能源。从1960年代开始，由普通晶闸管相继衍生出了快速晶闸管、光控晶

闸管、不对称晶闸管及双向晶闸管等各种特性的晶闸管，形成一个庞大的晶闸管家族。

但晶闸管本身存在两个制约其继续发展的重要因素。一是控制功能 上的欠缺，普通的晶闸管属于半控型器件,通过闸极(控制极)只能控制其开通而

不能控制其关断，导通后控制极即不再起作用，要关断必须切断电源，即令流过晶闸管的正向电流小于维持电流。由于晶闸管的关断不可控的特性,

必须另外配以由电感、电容及辅助开关器件等组成的强迫换流电路，从而使装置体积增大,成本增加，而且系统更为复杂、可靠性降低。二 是因为此

类器件立足于分立器件结构，开通损耗大，工作频率难以提高,限制了其应用范围。1970年代末，随着可关断晶闸管(GTO) 日趋成熟，成功克服

了普通晶闸管的缺陷,标志着电力电子器件已经从半控型器件发展到全控型器件。