江苏师范大学电气专硕复试电力电子技术复习资料
师大电力电子复试资料
由于师大电气学院没有公布复试电力电子的版本和重点,学长将结合本科时所学版本和
重点对这本书的重点进行介绍,包括期末考试题目和平时练习题目等都会介绍到。
师大本科学的是电力电子技术第五版王式安先生的那本,然后说一下电气学院的期末考
试,期末考试的主要内容有:简答(30 分)、名词解释(20)、填空(15)、计算(15)、判
断(20)这五种类型。今年如果是线上面试要把准备重点放在简答、名词解释、填空和判断,
如果改成线下面试,那计算也要稍微准备一下,不过电力电子的计算都比较简单,这个到时
候稍微背背公式就可以,主要还是问答、名词解释、填空和判断。
下面介绍一下期末试题:(部分、其他会在本书重点中介绍)
名词解释:
有源逆变、无源逆变、软开关、硬开关、直流调压、直流斩波
简答:
什么是 VVVF、VVVR、升压方法、降压方法、晶闸管特性、工作方式
填空:
基本电压电路有、斩波电路有:变频电路分为:
计算:
2 个,书上原题
本书重点:
第一章:
1.1 全是重点,什么是电力电子技术,电力变换四大类这些都是基本知识点,复试常问。
1.2 什么是相控方式、斩波方式,脉冲宽度调制(考),IGBT,GTO 中文名
第二章:
第 10 页蓝色字体,电力电子器件的特征(用自己的语言描述即可),11 页,什么是通
态损耗、断态损耗、开关损耗,12 页电气隔离,标蓝字体概念。2.2 这块看看就行,模电学
过。2.2.3 晶闸管的静态,动态特性要熟练掌握。2.3.3 晶闸管的主要参数要熟练掌握,这里
可能出填空或计算,重点。2.3.4 要记得几种派生器件。2.4GTO 了解一下,模电里面学过。
习题第四五题作业加期末。
第三章:
整流电路这里全是重点,包括其波形图,都要熟练掌握,从 44 到 62,里面机制整流电
路要全会。3.4 3.5 没讲。79 页多重化的好处记住,81 页顺序控制。3.7 逆变全是重点,细
节多看看,逆变条件,逆变失败什么的,这里面试可能直接问,出过期末试题。其他的没有
讲,有时间可以再看。
第四章:
4.1 换流方式全是重点,四种。4.2 电压型逆变电路重点,能理解如何工作的更好,到
104 页,如果不好理解 b 站也有相关视频可以对着视频复习这一块。4.2 以后没讲.
第五章:
5.1 全是重点,里面的公式也要记住,波形图能记住最好,122 页两个例题要会。119-
131 是重点。总结第五章:基本电路有哪些;speic、zeta、cuk、升降压斩波电路分别是什
么;直流调压方式有哪些;正极性;反极性;正激电路,反激电路
第六章:
重点在 6.1.1 调压电路,145 页的电路图多看看.150 页图看看。
第七章:
7.1 PWM 技术 PWM 波形怎么来的。164 页多看看,这是期末考试题。7.2 计算法和调
制法要会。7.2.3 规则采样法必会,期末原题。7.3PWM 跟踪技术了解。
第八章不是重点,记住里面的蓝色定义即可。
第九章:
199 页图 5 尽量理解怎么工作,199-200 页两页重点看看。9.2.3 缓冲电路多看看,不少
定义。
第十章 214 页 VVVF。以及其他缩写和标蓝字体。
课后习题可以做一做,如果线上面试计算不是重点,多看看其他类型的题目。
电力电子习题
1. 电力电子技术是使用电力电子器件对电能进行变换和控制的技术。
2. 电力电子技术是应用于电力变换领域的电子技术。
3. 电能变换的含义是在输入和输出之间,将电压/电流/频率(包含直流)/相位/相数中的一
项以上加以改变。
4. 在功率变换电路中,为了尽量提高电能变换的效率,所以器件只能工作在开关状态,这样
才能降低损耗。
5. 电力电子技术的研究内容包括两大分支:电力电子器件制造技术和变流技术。
6. 半导体变流技术包括用电力电子器件构成的电力变换电路和对其进行控制的技术,以及
构成电力电子装置和电力电子系统的技术。
简答题
1. 什么是电力电子技术?
答:电力电子技术是应用于电力领域的电子技术,使用电力电子器件对电能进行变换和控制
的技术。
2. 电能变换电路有什么特点,机械式开关为什么不适合做电能变换电路的开关?
答:电能变换电路在输入和输出之间将电压,电流,频率,相位,相数中的一种加以变换。
电能变换电路中理想开关应该满足切换时开关时间为 0,使用寿命长,而机械开关不能满足
这些要求。
3. 电力电子变换电路包括哪几个大类?
答:交流变直流-整流,直流变交流-逆变,直流变直流-斩波,交流变交流-交流调压,变频。
电力电子器件
第一部分:
1. 电力电子器件是直接用于主电路电路中,实现电能的变换或控制的器件。
2. 主电路是在电气设备或电力系统中,直接承担电能的变换或控制的电路
3. 电力电子器件一般工作在开关状态。
4. 电力电子器件组成的系统,一般由控制电路,驱动电路,主电路三部分组成,由于电路中
存在电压和电流的过冲,往往需添加保护电路。
5. 按照器件能够被控制的性质,电力电子器件可分为以下三类:不可控器件,半控型器件,
全控型器件。
6. 按照驱动电路信号的性质,电力电子器件可分为以下两类:电流驱动型,电压驱动型。
7. 电力二极管的工作性质可以概括为单向导电性。
8. 电力二极管的主要类型有普通二极管,快恢复二极管,肖特基二极管。
9. 普通二极管又称整流二极管,多用于开关频率不高,一般为 1k hz 以下的整流电路,其反
向恢复时间较长,一般在 5um 以上。
10. 快恢复二极管简称快速二极管,其反向恢复时间较短,一般在 5um 以下
11. 肖特基二极管的反向恢复时间更短,其范围一般在 10-40ns 之间。
12. 晶闸管的基本工作特性可概括为:承受反向电压时,不论门极是否有触发电流,晶闸管
都不会导通,承受正向电压时,仅在门极有触发电流情况下,晶闸管才能导通,晶闸管一旦
导通,门极就会失去控制作用。要使晶闸管关断,只能使晶闸管的电流降到接近于 0 的某一
数值以下。
13. 通常取晶闸管的 U 中较小的标值作为该器件的额定电压。选用时,一般取额定电压为正
常工作时晶闸管所承受峰值电压的 2-3 倍。
14. 使晶闸管维持导通所必需的最小电流称为维持电流,晶闸管刚从断态转入通态并移除触
发信号之后,能维持导通所需的最小电流称为擎住电流,对同一晶闸管来说,通常擎住电流
为维持电流的 2-4 倍。
15. 晶闸管的派生器件有:快速晶闸管,双向晶闸管,逆导晶闸管,光控晶闸管。
16. 普通晶闸管关断时间数百微妙,快速晶闸管数十微妙,高频晶闸管 10um 左右。高频晶
闸管的不足在于其电压和电流定额不易做高。
17. 双向晶闸管可认为是一对反并联的普通晶闸管的集成。
18. 逆导晶闸管是将晶闸管反并联一个二极管制作在同一个管心上的功率集成器件。
19. 光控晶闸管又称光触发晶闸管,是利用一定波长的光照信号触发导通的晶闸管。光触发
保证了主电路与控制电路之间的绝缘,且可避免电磁干扰的影响。
简答题
1. 电力电子器件是如何定义和分类的?同处理信息的电力器件相比,他的特点是什么?
答:电力电子器件是指可直接用于处理电能的主电路中,实现电能变换或控制的电子器件。
按照控制程度:不可控器件,半控型器件,全控型器件。
按照驱动电路:电流驱动型,电压驱动型。
特点:处理的功率大,器件处于开关状态,需要信息电子电路来控制,需要安装散热片。
2. 使晶闸管导通的条件使什么?
答:2 个条件缺一不可,晶闸管阳极和阴极之间施加正向阳极电压晶闸管门极和阴极之间必
须加上适当的正向脉冲电压和电流。
3. 维持晶闸管导通的条件是什么?怎样才能使晶闸管由导通变为关断?
答:维持晶闸管导通的条件是流过晶闸管的电流大于维持电流,欲使之关断,只需将流过晶
闸管的电流减小至维持电流以下,可采用阳极电压反向,减小阳极电压或增大回路阻抗等方
式。
计算题:
1. 晶闸管在单相正弦有效值电压 220v 时工作,若考虑晶闸管的安全裕量,其电压定额应选
多大?
解:晶闸管所承受的正反向电压最大值为输入正弦交流电源电压的峰值 311v,取晶闸管的
安全裕量为 2 倍,则晶闸管额定电压不低于 2*311v=622v。
2.晶闸管电流计算按照有效值相等的原则进行计算,即先算的有效值,再推算出平均值。
填空题:
1. GTO 得多元结构是为了便于实现门极控制关断而设计得。
2. GTO 得开通控制方式与晶闸管相似,但是可以通过在门极施加负的脉冲电流使其关断。
3. GTO 导通过程与普通晶闸管一样,只是导通时饱和程度较低,导通时管压降增大。
4. GTO 最大可关断阳极电流与门极负脉冲电流最大值之比称为电流关断增益,该值一般很
小,只有 5 左右,这是 GTO 得一个主要缺点。
5. GTR 导通的条件是:集电极承受正电压(NPN 型)且基极施加驱动电流。
6. 在电力电子电路中,GTR 工作在开关状态,在开关过程中,在截止区和饱和区之间过渡时,
要经过放大区。
7. 电力 MOSFET 导通的条件是:漏源极间加正电压且在栅源极间加正电压 Ugs,且大于开启
电压 UT。Ugs=0 关断
8. 电力 mosfet 的漏极伏安特性中的三个区域与 GTR 共发射极接法时的输出特性中的三个区
域有对应关系,其中前者的截止区对应后者的截止区,前者的饱和区对应后者的放大区,前
者的非饱和区对应后者的放大区。
9. 电力 MOSFET 的通态电阻具有正的温度系数。(温度越高,电阻值越大)
10. IGBT 是由 mosfet 和 GTR 两类器件取长补短结合而成的复合器件。
11. IGBT 导通的条件是:集射极间加正电源 Uce>0 且 UGE 大于开启电压 UGE(th)
12. IGBT 的输出特性分为三个区域:分别是阻断区,有源区和饱和区,IGBT 的开关过程是在
阻断区和饱和区之间切换。
13. IGCT 是由 IGBT 和 GTO 两类器件结合而成的复合器件,目前正在与 IGBT 等新型器件激
烈竞争,试图最终取代 GTO 在大功率场合的位置。
14. 将多个电力电子器件封装在一个模块中,称为功率模块。
15. 与单管器件相比,功率模块的优点是:可缩小装置体积,减小线路电感。
16. 功率集成电路将功率器件与逻辑,控制,保护,传感,检测,自诊断等信息电子电路制
作在同一芯片上。
17. 功率集成电路实现了电能和信息的集成,成为机电一体化的理想接口。
18. 按照载流子参与导电的情况,可将电力电子器件分为:单极性,双极型,复合型三类。
19. 在如下器件:电力二极管(power diode)晶闸管(scr)门极可关断晶闸管(GTO)电力
晶体管(GTR)电力场效应管(电力 mosfet)绝缘栅双极型晶体管(IGBT)
属于不可控器件的是:电力二极管
属于半控型器件的是:SCR
属于全控型器件的是:GTO,GTR,电力 MOSFET,IGBT
属于单极型电力电子器件的有电力 MOSFET
属于双极型器件的有:电力二极管,SCR,GTO,GTR
属于复合型电力电子器件的有 IGBT
在可控器件中,容量最大的是 SCR
工作频率最高的是电力 MOSFET
属于电压驱动的是电力 MOSFET,IGBT
属于电流驱动的是 SCR,GTO,GTR
20. 画出下面电力电子器件的电气符号
电力二极管 晶闸管 GTO GTR IGBT 电力场效应管
简答题:
1. gto 和普通晶闸管同为 PNPN 结构,为什么 GTO 可以自关断,而普通晶闸管不能?
答:gto 能够通过门极关断的原因是与普通晶闸管有如下区别:
设计@2 较大,使晶闸管 V2 控制灵敏,易于关断 GTO
导通时@1+@2 更接近 1,导通时接近临界饱和,有利于门极控制关断,但导通时管压降增
大
多元集成结构使得 P2 基区横向电阻很小,能从门极抽出较大电流。
2. 试说明 IGBT,GTR,GTO 和电力 MOSFET 的各自的优缺点
答:GTR 的容量中等,工作频率一般在 10Khz 以下,所需驱动功率较大,耐压高,电流大,
开关特性号好;GTO 容量大,但驱动复杂速度低,电流关断增益很小,功耗大,效率较低;
OSFET 器件工作频率最高,所需驱动功率最小,热稳定性好,但其容量较小,通态压降答,
开通损耗相应较大,耐压低;IGBT 的容量和 GTR 容量属于同一等级,但属于电压控制型器
件,驱动功率小,工作频率高,通态压降低,输入阻抗高。
直流斩波电路:
填空题:
1. 直流斩波电路完成的是直流到另一固定电压或可调电压的直流电的变换。
2. 直流斩波电路中最基本的两种电路是 降压斩波电路和升压斩波电路。
3. 斩波电路有三种控制方式:脉冲宽度调制(PWM 调制),脉冲频率调制和混合型,其中最
常用的控制方式是:脉冲宽度调制。
4. 脉冲宽度调制的方法是:周期不变,导通时间 ton 变化,即通过导通占空比的改变来改变
变压比,控制输出电压。
5. 脉冲频率调制的方法是:导通时间不变,周期变化,导通比也能发生变化,从而达到改变
输出电压的目的,该方法的缺点是:导通占空比的变化范围有限,输出电压和输出电流中的
谐波频率不固定,不利于滤波器的设计。
6. 降压斩波电路中通常串联较大的电感,其目的是使负载电流连续。
7. 生压斩波电路使电压升高的原因是:电感 L 储能使电压泵升,电容 C 可将输出电压保持
住。
8. 升压斩波电路的典型应用有 直流电动机传动和 单相功率因数校正等。
9. 升降压斩波电路和 CUK 斩波电路呈现升压状态的条件是开关器件的导通占比为 0.5-1,呈
现降压状态的条件是开关器件的导通占空比为 0-0.5.
逆变电路:
1. 把直流电变成交流电的电路称为逆变电路,当交流侧有电源时称为有源逆变,当交流侧无
电源时称为无源逆变。
2. 电流从一个支路向另一个支路转移的过程称为换流,从大的方面,环流可以分为两类,即
外部换流和内部换流,进一步划分,前者又包括电网换流和负载换流两种换流方式,后者包
括器件换流和强迫换流两种换流方式,适合于全控型器件的换流方式是器件换流。
3. 逆变电路可以根据直流侧电源性质不同分类,当直流侧是电压源时,称此电路为电压源型
逆变电路,当直流侧为电流源时,称此电路为电流源型逆变电路。
4. 半桥逆变电路输出交流电压的幅值 Um 为 0.5Ud,全桥逆变电路输出交流电压的幅值为
Ud。
5. 单项全桥方波型逆变电路,180 度导电角的控制方式下,改变输出交流电压的有效值只能
通过改变直流电压 Ud 来实现,改变两组开关切换频率可改变输出交流电频率,为防止同一
桥臂的上下两个开关器件同时导通而引起直流侧电源短路,在开关控制上应采取先断后通的
措施。
6. 三相电压型逆变电路中,180 度导电角的控制方式下,每个桥臂的导电角度为 180°,各相
开始导电的角度依次相差 120°,在任一时刻,有 3 个桥臂导通。
7. 电压型逆变电路一般采用全控型器件,换流方式为器件换流,电流型逆变电路中,较多采
用半控型器件,换流方式有的采用强迫环流,有的采用负载换流。
简答题:
1. 无源逆变电路和有源逆变电路有何不同:
答:有源逆变电路交流侧接有电源,无源逆变电路交流侧直接与负载连接。
2. 换流方式各有哪几种,各有什么特点?
答:共四种换流方式
器件换流:利用全控型器件的自关断能力进行换流
电网环流:由电网提供换流电压,利用电网负压使 scr 关断
负载换流:由容性负载提供环流电压
强迫换流:设置附加的换流电路,给欲关断的晶闸管强迫施加反向电压或反向电流的换流方
式称为强迫换流。
PWM 技术
1. PWM 控制的理论基础是面积等效原理,即冲量相等而形状不同的窄脉冲加在具有惯性的
环节上时,其效果基本相同。
2. 根据面积等效原理,spwm 控制用一组等幅不等宽的脉冲(宽度按正弦规律变化)来等效
一个正弦波。
3. PWM 控制就是对脉冲宽度进行调制的技术,直流斩波电路得到的 PWM 波是等效直流波
型,SPWM 控制得到的是等效正弦波形。
4. PWM 波型只在单个极性范围内变化的控制方式称单极性控制方式,PWM 波型在正负极
性间变化的控制方式称双极性控制方式,三相桥式 PWM 型逆变电路采用双极性控制方式。
5. Spwm 波形的控制方法:改变调制信号 Ur 的幅值可改变基波幅值,改变调制信号 Ur 的频
率可改变基波频率。
6. 得到 pwm 波型的方法一般有两种,即计算法和调制法,实际中主要采用调制法。
7. 根据载波和信号波是否同步及载波比的变化情况,pwm 调制方式可分为同步调制和异步
调制。一般为综合两种方法的优点,在低频输出时采用异步调制方法,在高频输出时采用同
步调制方法。
8. 在正弦波和三角波的自然交点时刻控制开关器件的通断,这种生成 spwm 波形的方法称
为自然采样法,实际应用中,采用规则采样法来替代上述方法,在计算量大大减小的情况下
得到的效果接近真值。
9. 正弦波调制的三相 PWM 逆变电路,在调制度 a 为最大值 1 时,直流电压利用率为 0.866,
采用梯形波作为调制信号,可以有效提高直流电压利用率,但是会为电路引进低次谐波。
简答题:
1. 单极性和双极性 PWM 调制有什么区别?三相桥式 PWM 型逆变电路中,输出相电压(输
出端相对于直流电源中电的电压)和线电压 SPWM 波型各有几种电平?
答:单极性 PWM 调制在调制信号的半个周期内载波只在正或负一种极性范围内变化,双极
性 PWM 调制在调制信号的半个周期内载波是有正有负的,输出相电压有+0.5Ud,以及0.5Ud 两种电平,输出线电压有+Ud-Ud 0 三种电平。
2.试简单比较 pwm 控制中的计算法和调制法的特点
答:如果给出逆变电路的正弦波输出频率,幅值和半个周期内的脉冲数,PWM 波形中各脉
冲的宽度和间隔就可以准确计算出来,按照计算结果控制逆变电路中开关器件的通断,就可
以得到所需要的 PWM 波形,这种方法称之为计算法,可以看出,计算法很繁琐,当所需要
的正弦波的频率,幅值,或相位发生变化时,结果都要发生变化。
与计算法相对应的是调制法,即把希望输出的波形作为调制信号,把接受调制的信号作为
载波,通过信号波的调制得到所期望的 PWM 波形,这种方法实现简便,应用最广。
3. 什么是异步调制?什么是同步调制?两者个有什么特点,分段同步调制有什么优点?
答:载波信号和调制信号不保持同步的调制方式称为异步调制,采用异步调制方式,希望采
用较高的载波频率,以使在信号波频率较高时仍能保持较大的载波比。
载波比 N 等于常数,使载波和信号波保持同步的方式称为同步调制,当逆变电路输出频率
很低时,同步调制的载波频率也很低,过低时由调制带来的谐波不易滤除。当逆变电路输出
频率很高时,同步调制时的载波频率过高,使开关器件难以承受。
分段同步调制优点:在输出频率高的频段采用较低的载波比,以使载波频率不宜过高,限制
在功率开关器件允许的范围内。在输出频率低的频段采用较高的载波比,以使载波频率不致
过低而对负载产生不利影响。
4. 什么是 SPWM 波形的规则化采样法,和自然采样法比规则采样法由什么优点?
答:规则采样法是取三角波两个正峰值之间为一个采样周期,使每个脉冲的中点都与相应的
三角波负中点重合,在三角波的负峰值时刻对正弦信号波采样得到一点,过该点作一水平直
线和三角波交于两点,在这两个时刻控制器件通断,规则采样法生成的 SPWM 波形与自然
采样法接近,优点是计算量大大减少。
简答题
1.单向全波可控整流电路与单向桥式全控整流电路从直流输入端或交流输出端看都是基本
一致的,那么二者有什么区别?
答:有区别
单项全波可控整流电路中变压器的二次绕组带中心抽头,结构较复杂,绕组及铁芯对铜,铁
等材料的消耗比单相全控桥多,在当今世界上有色金属资源有限的情况下,这是不利的。
单相全波可控整流电路只用 2 个晶闸管,比单相全控桥式可控整流电路少 2 个,相应的晶
闸管的门极驱动电路也少 2 个,但是在单相全波可控整流电路中晶闸管承受的最大电压是
单相全控桥式可控整流电路中的 2 倍
单相全波可控整流电路中,导电回路只含有 1 个晶闸管,比单相桥少 1 个,因此少一个管压
降。
填空题
1. 电阻性负载三相半波可控整流电路中,晶闸管所承受的最大正向电压等于√2 u2,晶闸管
控制角 a 的最大移相范围为 0-150,使负载电流连续的条件是 a≤30°。
2. 三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的处罚脉冲相位按相序依次互差 120°,当它带阻
感负载时,a 的移相范围是 0-90°。
3. 三相桥式全控整流电路带电阻负载工作时,共阴极组中处于通态的晶闸管对应的是最高
的相电压,而共阳极组中导通的晶闸管对应的是最低的相电压,这种电路 a 角的移相范围是
0-120°,Ud 波形连续的条件是 a≤60°。
1.目前常用的全控型器件有哪些?各有什么特点?
答:目前常用的全控型器件有 GTO,IGBT,MOSFET 等。GTO 的开关频率比较低,一般在几
百到一千 Hz 左右﹐但其耐压比较高,因此 GTO 主要用于一些特大容量场合。IGBT 的开关
频率一般可以做到 50kHz,容量到 4500V/1000A。具有输入阻抗低,驱动功率小等特点,主
要应用在电机控制,中频电源,开关电源等场合。MOSFET 具有驱动功率小,高频特性好,
热效应好,没有二次击穿,开关频率高等特点,可达 2MHz,但其容量低,目前制造水平
1000 V/2A 和 60 V/2A,不适宜大功率场合。
2.什么是电力电子器件的二次击穿,为什么 MOSFET 没有二次击穿现象?
答:当电力电子器件由于电流过大而发生一次击穿时,如果没有采取措施限制电流,由于器
什本身的负阻效应,使得电流进一步迅速增加,导致管子发生热击穿而损坏,称作二次击穿。
MOSFET 之所以没有二次击穿现象,是因为 MOSFET 本身具有正阻效应,随着电流的增加其
本身电阻增加,从而不至于使得电流进一步迅速上升而发生二次击穿。
3. 电力电子器件的保护主要有哪些?为什么电力电子器件有设置缓冲保护电路?
答:主要有短路保护,过压过流保护等。对于电力电子器件由于其本身对 dt /di ,dt /du 的能
力比较差,所以除了前面的过压过流保护外,还应该增设缓冲电路以限制电流以及电压的变
化过快。
4.什么叫做整流,目前常用的整流电路中,电路的拓扑结构主要是什么?
答:把交流电变成直流电输出,称之为整流。目前常用的整流电路为桥式整流。
5.整流电路为什么要进行滤波?目前常用的滤波方法是什么?
答:由于整流电路输出电压波动比较大,因此需要滤波。常用的滤波方法是在整流电路两端
并电容滤波。
6.目前常用两种斩波电路是什么,主要应用在哪些场合?斩波电路的占空比指的是什么?
答:目前常用的斩波电路为降压和升压斩波电路,降压斩波主要应用在电力机车、开关电源
等场合。斩波电路的占空比是指开关器件的导通时间与周期之比。
7.什么是逆变,目前常用的逆变电路有哪几种?
答:把直流电变换成交流电的过程称为逆变,常用的逆变电路有电压型和电流型逆变电路两
种。
8.目前实现逆变时主要采用交交变频还是交直交变频?为什么?
答:目前主要采用交直交变频,首先把工频交流电采用二极管整流,然后在通过逆变电路输出
交流电。因为交交变频输出的频率范围比较小,且交交变频采用晶闸管。
9.简述 SPWM 调制技术的工作原理。
答:SPWM 调制技术是通过对变流装置输出电压波形进行可变脉宽的多脉冲调制来调节输出
电压。这种控制技术多用于逆变器中,就是把逆变器每半个工作周期分割成若干个周期相同
的等幅不等宽的脉冲,并使这些脉冲的宽度按照与逆变工作同频率的正弦函数分布。
10.获得 SPWM 波形的方法有哪些?
答:方法有三种:
(1) 硬件生成法:把期望的波形作为调制信号与载波信号(一般为三角波)进行比较获得所需的 SPWM 波。 (2) 采用微机控制生成 SPWM 控制波。(3) 专用芯片生成法。