三星宣布量产第8代V-NAND闪存 PCIe 5.0速度可超12GBps

三星电子现宣布已经开始大规模生产其 236 层 3D NAND 闪存芯片，该公司将其命名为第 8 代 V-NAND。

新一代存储芯片可带来 2400MTps 的传输速度，当搭配高端主控使用时，它可使得消费级 SSD 的传输速度轻松超过 12GBps。

据介绍，第 8 代 V-NAND 可提供 1Tb (128GB) 的方案，三星电子没有公开 IC 的大小和实际密度，不过他们称之为业界最高的比特密度。

三星声称，与现有相同容量的闪存芯片相比，其新一代 3D NAND 闪存可提高 20% 的单晶生产率，从而进一步降低了成本（在良率相同的情况下），这可能意味着大家有望买到同容量更便宜的固态硬盘。

该公司没有透露新品架构，但根据提供的图像，我们可以假设这是一种双平面 3D NAND 芯片。

三星电子闪存产品与技术执行副总裁 SungHoi Hur 表示:“由于市场对更密集、更大容量存储的需求推动了更高的 V-NAND 层数，三星采用了先进的 3D 压缩技术，以减少表面积和高度，同时避免通常在压缩时出现的单元间干扰。”“我们第 8 代 V-NAND 将有助于满足快速增长的市场需求，并使我们更好地提供更多差异化的产品和解决方案，这将是未来存储创新的基础。”