学习记录（不定时更新）

特征尺寸：半导体器件最小尺寸（CMOS表示栅宽即沟道长），一般特征尺寸（沟道长）小、性能高、功耗低，但是过小会导致短沟道效应（MOS关不断（栅压失去控制能力）：栅压去掉，源极、漏极之间还存在漏电流），而漏电流存在会导致静态功耗增大，为了降低此效应带来的负面影响需要在器件结构、工艺方面改进。

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