台积电3nm今年下半年量产，2nm预计2025年量产

9月18日，据台媒《经济日报》报道，晶圆代工厂台积电 2nm 制程将于 2025 年量产，市场看好进度可望领先对手三星及英特尔。目前台积电先进制程进展顺利，3nm 将在今年下半年量产，升级版 3nm（N3E）制程将于 3nm 量产一年后量产，即 2023 年量产，2nm 预计于 2025 年量产。

台积电将在2024年正式取得ASML（阿斯麦）的下世代极紫光微影设备（High-Na EUV）。

媒体认为，这将对台积电推进2nm制程工艺量产提供巨大的帮助。台积电业务开发副总裁张晓强曾表示，台积电在取得High-NA EUV光刻设备后初期将会与合作伙伴用于共同研究。

除去台积电以外，三星也有计划引进该设备，英特尔也宣布已与ASML签署合同购买5台该设备。媒体预计2nm制程工艺可能会在2025年左右正式量产。

据悉，High-NA EUV光刻机的预估单价为4亿美元（约合人民币27.94亿元），是目前现有EUV光刻机单价的2倍以上。

台积电 2nm 厂将落地竹科宝山二期扩建计划，“竹科管理局”已展开公共设施建设，台积电 2nm 厂也开始进行整地作业。

台积电 2nm 首次采用纳米片架构，相较 N3E 制程，在相同功耗下频率可提升 10% 至 15%。在相同频率下，功耗降低 25% 至 30%。

台积电总裁魏哲家日前在技术论坛中强调，台积电 2nm 将会是密度最优、效能最好的技术。市场也看好，台积电 2nm 进度将领先对手三星及英特尔。

此前消息称，虽然在 3nm 世代略有保守，但无论如何，鳍片 (Fin) 宽度都已经接近实际极限，再向下就会遇到瓶颈，所以外资法人预估台积电 2nm 先进制程将采用环绕式闸极场效电晶体 GAAFET 高端架构生产 2nm 芯片。