QCr0.6-0.4-0.05铬青铜冷态和热态中承受压力加工。

QCr0.6-0.4-0.05铬青铜

特性：

QCr0.6-0.4-0.05铬青铜在常温及高温下（400℃）具有较高的强度及硬度，导电性和导热性好，耐磨性和减摩性也很好，经时效硬化处理后，强度、硬度、导电性和导热性均显著提高；

TaC 的制备方法一般有三种， 即碳热还原法、 C 与 Ta 直接反应、 Ta 的卤化物与碳氢化合物的气相反应形成 TaC。 碳热还原法是将 Ta 2 O 5 与碳或者钽醇盐有机先驱体发生碳热还原反应制备 TaC， 这种方法需要较高温度才能生成 TaC， 大约为 1500 ℃以上， 并且反应速率较慢， 而且生成 TaC 过程中晶粒在高温下容易粗大， 影响其性能 。CVD 法制备 TaC 涂层一般是在碳材料如石墨基片上， 采用的反应体系一般为 TaCl 5 ，C 3 H 6 ， H 2 和 Ar， 当上升到一定温度后，放置在气化室的固态 Ta 源即 TaCl 5 变为气态，被一定流量的 Ar 携带出气化室， 气态 Ta 粒子与 H 2 混合发生还原反应生成的 Ta 单质沉积到石墨基片上， 继而在一定温度下发生碳化反应。

易于焊接和钎焊，在大气和淡水中具有良好的抗蚀性，高温抗氧化性好，能很好地在冷态和热态中承受压力加工。

用途：

QCr0.6-0.4-0.05铬青铜用于制作工作温度350℃以下的电焊机电极、电机整流子片以及其他各种在高温下工作的、要求有高的强、硬度、导电性和导性的零件，

还可以双金属的形式应用于刹车盘和圆盘。

TaC 的制备方法一般有三种， 即碳热还原法、 C 与 Ta 直接反应、 Ta 的卤化物与碳氢化合物的气相反应形成 TaC [61,62] 。 碳热还原法是将 Ta 2 O 5 与碳或者钽醇盐有机先驱体发生碳热还原反应制备 TaC， 这种方法需要较高温度才能生成 TaC， 大约为 1500 ℃以上， 并且反应速率较慢， 而且生成 TaC 过程中晶粒在高温下容易粗大， 影响其性能 [63] 。CVD 法制备 TaC 涂层一般是在碳材料如石墨基片上， 采用的反应体系一般为 TaCl 5 ，C 3 H 6 ， H 2 和 Ar， 当上升到一定温度后， 放置在气化室的固态 Ta 源即 TaCl 5 变为气态，被一定流量的 Ar 携带出气化室， 气态 Ta 粒子与 H 2 混合发生还原反应生成的 Ta 单质沉积到石墨基片上， 继而在一定温度下发生碳化反应。

化学成分：

Cu：余量

Cr：0.4-0.8

Zr：0.3-0.6

Si：0.05

Fe：0.05

P：0.01

mg：0.04-0.08

杂质：0.5

而 CVD 过程中金刚石形核是由两个阶段构成， 第一阶段是含碳基团运动至基体表面， 并向基体内部扩散的过程， 如形成碳化物层， 当 C 扩散达到饱和， 含碳基团不与基体发生反应时， 表面吸附的 C 浓度逐渐增大到一定程度， 就会发生金刚石形核。

采用 CVD 法在 Ta 涂层表面制备金刚石涂层时， 首先得到的为一层 TaC 层， A. Rubinshtein 及 A. Raveh 等人 [72,73] 采用射频等离子体辅助化学气相沉积
（RF-PACVD） 在 Ta 表面获得了 TaC 涂层。 利用 CVD 过程金刚石形核的第一阶段， 结合上述 DGPSA 在 C17200 铍铜基材表面制备的为 Ta 涂层， 而 Ta 作为一种强碳化物形成元素， 若采用 CVD 法， 在 Ta 涂层表面首先得到的是一层 TaC 层， 这是毋庸置疑的。