结构化学提要4:晶体
一、对称元素
① 旋转轴;② 对称面
;③ 对称中心
;④ 映轴
;⑤ 反轴

(分子点群见后文)
注:(i) ;
(ii) 另有对称元素组合定律,从略。
(iii) 的
轴:

顺便一提:1,1-联萘-8,8-二甲酸(结构如下图)由于阻转异构现象,也会存在一个类似于的
轴。

二、晶体学基础
① 点阵(略);
注:

② 晶系

③ 晶体结构=点阵形式+结构基元
④ 晶面指标

设有一平面点阵和3个坐标轴,y相交在3个坐标轴上的截数分别为r, s, t(以 a, b, c为单位的截距数目)。截数之比即可反映出平面点阵的方向。但直接由截数之比r : s : t表示时,当平面点阵和某一坐标轴平行,截数将会出现。为避免出现
,规定用截数的倒数之比,即1/r : 1/s : 1/t 作为平面点阵的指标。由于点阵的特性,这个比值一定可化成互质的整数之比1/r : 1/s : 1/t = h : k : l, 平面点阵的取向就用指标(hkl)表示,即平面点阵的指标为(hkl),或称Miller指数。

⑤ 晶体对称轴轴次定理:晶体只有1,2,3,4,6次旋转轴。
⑥ 晶胞的描述(分数坐标)
⑦ 晶体学部分公式:
(i) 晶体密度
(ii) 布拉格方程 ,一般取
(iii) 欧拉公式
⑧ 晶体的缺陷(略)
三、金属晶体
1. 金属键
① 电子气理论(亦称金属键的“自由电子”模型)
注:金属键的强度可由金属的原子化焓衡量;同理,金属键越强,金属的熔、沸点越高。
② 固体能带理论(可用于解释固体导电性)
根据能带的分布和电子填充情况,可分为下列几种:
(i) 充满电子的能带叫满带;
(ii) 部分能级充满电子的能带叫导带;
(iii) 能级最高的满带和导带总称为价带;
(iv) 完全没有电子的能带叫空带;
(v) 各能带间不能填充电子的区域叫带隙,又称禁带。
若一种固体只有满带和空带,它不能改变电子的运动状态,不能导电;若含有导带,电子受外电场作用,有可能在该能带中的不同能级间改变其能量和运动状态而导电。
2. 等径球密堆积
注:
(i) 空间利用率 ;
(ii) 堆积空隙(八面体空隙&四面体空隙)

球数 : 四面体空隙数 : 八面体空隙数 =
① 面心立方密堆积(ccp / A1堆积)

(i) 结构基元:1个等径球;晶胞含等径球4个;
(ii) 理论晶胞参数:;配位数=12;
(iii) 空间利用率 。
② 体心立方堆积(A2堆积)

注:理论上,A2堆积不是密堆积。
(i) 结构基元:1个等径球;晶胞含等径球2个;
(ii) 理论晶胞参数:;配位数=8;
(iii) 空间利用率 。
③ 六方密堆积(hcp / A3堆积)

(i) 结构基元:2个等径球;晶胞含等径球2个;
(ii) 理论晶胞参数:;配位数=12;
(iii) 空间利用率 。
注:上文中1.633只是近似值,其精确值为 。
3. 合金
① 金属化合物
(i) 合金(如下)。

(ii) Laves相合金

② 金属间隙化合物
注:金属间隙化合物多具有NaCl型结构。
③ 金属固溶体
注:另有淬火、退火等有关操作,从略。
四、离子晶体
注:(i) 填隙(如下)

(ii) 学习离子晶体结构时,须给出该离子晶体的点阵形式、结构基元、晶胞内容、晶胞参数、离子堆积/填隙情况、正负离子配位数之比。(后文与之相关的内容从略)
1. 常见结构
① 型

② 立方型(闪锌矿型)

注:作面心立方堆积,
填50%的四面体空隙。
③ 型(萤石型)

注:另有反萤石型,如。
④ 型

⑤ 型(尖晶石型)

注:Up本人也不知道该怎么读,就当是“四氧化二铝镁”好了。
⑥ 型(钙钛矿型)

⑦ 型(金红石型)

注:作六方密堆积,
填50%的八面体空隙。
⑧ 六方型(纤锌矿型)

⑨ 型

⑩ 型(
)

注:由于中的
是按ccp方式排列,其结构为
。
2. 二元离子晶体的结晶化学规律
① 半径比与晶体结构
定义半径比为,有:

② 均摊法处理正负离子配位数之比与晶胞正负离子数目之比的关系
3. 晶格能(略)
五、分子晶体
略(书上元素结构化学的内容还是挺多的嘛,而且与前者的学习方法类似,故从略)。
补充:点群
晶体中所含有的全部宏观对称元素至少交于一点,这些汇聚于一点的全部对称元素的各种组合称为晶体的点群。

当然我们在考虑分子对称性的时候,也可以说属于
点群,苯属于
点群,等等。
(2023年1月17日)