《炬丰科技-半导体工艺》氧化硅的表面特性

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》

文章：氧化硅的表面特性

编号：JFKJ-21-260

作者：炬丰科技

介绍  

    自晶体管效应的发现(1948年)，这些研究主要集中在锗和硅晶体上，特别是因为各种表面现象被发现有不利的影响，用这些材料制成的pn结器件的性能和稳定性。二氧化硅薄膜对薄膜的表面性质具有稳定作用硅。虽然不只是因为表面原因稳定。该膜还可用于对杂质的选择性掩蔽扩散，用于在硅中制造pn结。它们还可以分离金属Electrades来自半导体。这种金属电极可用于例如连接晶体管、二极管和电阻硅集成电路。  

硅体性能  

  在室温下，纯(本征)硅不含许多流动性载流子:约1·6.1010电子，正电荷数相同。杂质可以掺入，以获得增加电子或洞的数量。可找到合适的供体元素例如P, As, Sb这些元素被替换地建立在硅晶格中，它们的组织能源相对较低。

一种氧化物涂层半导体表面的物理模型