2023年，中国半导体行业理论研究超过美国，远超日韩！

半导体是当今信息技术的核心和基础，是衡量一个国家科技实力和创新能力的重要指标。在半导体领域，理论研究是推动技术进步和突破的源泉，是半导体产业发展的先导和引领。近年来，中国在半导体理论研究方面取得了显著的成就和进步，在国际上展现了强劲的竞争力和影响力。特别是在2023年，中国在半导体理论研究上实现了历史性的突破，超过了美国，远超日韩，在全球半导体领域树立了新的标杆。

中国半导体理论研究的崛起，主要体现在以下3个方面：

在国际顶级会议上发表论文数量和质量的提升。国际顶级会议是半导体理论研究水平和成果的重要展示平台，也是各国半导体科研实力和水平的重要衡量指标。在2023年，中国在国际顶级会议上发表论文数量和质量都有显著提升，在某些会议上甚至超过了美国。比如，在国际固态电路会议（ISSCC）上，中国（含港澳台）入选82篇论文（不含台湾省也有59篇）。位列第一，比第二名美国多42篇，远超日本的10篇，韩国的32篇。这些数据充分说明了中国在半导体理论研究方面的实力和水平。

在半导体关键技术领域取得重大突破和创新。半导体关键技术领域是半导体理论研究的核心和重点，也是决定半导体产业竞争力和优势的关键因素。在2023年，中国在半导体关键技术领域取得了重大突破和创新，在全球范围内引起了广泛关注和赞誉。

比如，在高压器件方面，中国成功开发出了世界上最高压的碳化硅功率器件，达到了40kV的击穿电压，在高压应用领域具有巨大潜力；在低压器件方面，中国首次实现了基于氮化镓材料的互补金属氧化物场效应晶体管（CMOS），打破了氮化镓器件只能实现单极性开关的局限，在低功耗应用领域具有重要意义；在功率集成电路方面，中国开发出了基于氮化镓的单片集成的高效率逆变器，实现了功率密度和效率的双重提升，在新能源汽车和智能电网等领域有广阔的应用前景；在宽禁带功率半导体器件方面，中国研制出了基于碳化硅和氮化镓的混合集成技术，实现了不同材料之间的无缝连接，在高温、高压、高频等极端环境下具有优异的性能。

在半导体理论研究人才培养和队伍建设方面取得显著成效。半导体理论研究人才是半导体理论研究的根本和保障，也是半导体产业发展的重要支撑。在2023年，中国在半导体理论研究人才培养和队伍建设方面取得了显著成效，在全球范围内树立了良好的形象和声誉。比如，在国际顶级会议上担任技术委员会委员或主席的中国学者数量不断增加，参与会议组织和评审工作，为会议质量和水平的提升做出贡献；在国际顶级期刊上担任编委或主编的中国学者数量也不断增加，参与期刊编辑和审稿工作，为期刊影响力和声誉的提升做出贡献；在国际知名奖项上获奖或提名的中国学者数量也不断增加，获得国际同行的认可和尊重，为中国半导体理论研究树立了新的标杆。

2023年，中国半导体行业理论研究超过美国，远超日韩，在全球半导体领域取得了历史性的突破和成就。这是中国在半导体领域长期坚持自主创新、加大投入、强化合作、培养人才的结果，也是中国在半导体领域追赶超越、走向领先、引领未来的标志。我们有理由为中国半导体理论研究的崛起而自豪和骄傲，也有信心为中国半导体产业的发展而努力和奋斗。