腐蚀剂的腐蚀性

Ga 2 O 3蚀刻剂

参考：（2 [sec.4.3.2]，8、98、99）。

Ga 2 O 3的厚度通常约为<50。

1：1-HCL：H 2 O-（10秒）

1:20-H 2 SO 4：H 2 O ---（30秒）

1 : 40-H 3 PO 4：H 2 O- -（20秒）

盐酸：H 3 PO 4

参考：（4，9，10，99）。

反应速率有限。

InP蚀刻速率为1：1〜2.5 µm / min。

GaInP蚀刻速率为1：1〜0.60 µm /分钟。

H 3 PO 4：H 2 O 2：H 2 O

参考文献：（13，98，99）。

反应速率有限。

GaAs蚀刻速率为3：1：25〜0.30 µm /分钟。

InGaAs蚀刻速率为1：1：8〜0.40 µm /分钟。

InGaAs和InAlAs的蚀刻速率为1：1：38〜0.10 µm / min。

H 2 SO 4：H 2 O 2：H 2 O

参考：（1、2、3、14）。

扩散率限制在〜33％H 2 SO 4以上。

反应速率限制在〜33％H 2 SO 4以下。

蚀刻速率与Ga和As含量成正比。

InGaAsP蚀刻速率为1：1：10〜0.10 µm /分钟。

C 6 H 8 O 7：H 2 O 2

安全

腐蚀剂的腐蚀性极强。

戴上护目镜，面罩，丁腈手套，乙烯基实验室围裙，无纺布鞋。

将酸加入稀释剂中。

向弱酸中加入强酸。

最后添加氧化剂。