isscc 2022 上发布的NAND总结

其实这个是好久之前的会议了，可不知为什么居然没有哪个网站做一个总结，本来以为sth或者anandtech会整一个的。
既然这样，我自己做一个表格好了
浅色部分是本次会议发布的，深色的部分是上次会议所发布的，用于比较。

可以看到本次发布的nand中，只有三星是tlc，其他几家都是qlc，因为去年发布的基本都是tlc。
因为都是单die 1Tb，4plane设计，因此可比性比较高。
铠侠162层QLC，虽然层数较少，但密度倒是比美光和海力士的176层QLC更高，铠侠表示它们使用了某项新技术，从而使存储单元面积减小了10%，此外还应用了CuA，也就是将外围电路置于存储部分之下的技术。在BiCS5铠侠还是传统的CNA，也就是在同一平面上。

然后是美光和海力士，这两个参数上基本一致，只能说挺巧的。

最后是三星，可以看到三星的单层密度比友商低一些，其实这一代进步已经很大了，上一代176层和别人128层差不多，实在是有点古怪。
其实三星密度一直是比较低的，但是之前因为它不仅是CNA，还是单堆栈，也就是一次刻蚀出100层以上的nand，别的厂家都是两次刻蚀，所以低一点也就罢了。但是176层的v6，CuA和双堆栈都上了，密度还是提不上去，就有点奇怪了。三星的176层一直不上市，估计是密度太低，只是个半成品，回炉重造了。
不过三星比较特殊的一点，就是每一代die种类特别多，不像美光/Intel，每代就一两种die，64层之后，一直到176层，都只有512gbTLC和1tbQLC两种。三星的128层，光TLC就有256gb、512gb、1tb三种。

不过说到底，在论文里面的样品，和最终产品很可能差别巨大，仅供参考。