三星128层单堆栈3D NAND 闪存占据了明显优势

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7月5日，知名半导体分析机构 TechInsights 举办了线上“存储半导体进展与融合挑战： DRAM 和 NAND ”( Memory Process and Integration Chalenges :DRAM & NAND ）研讨会。在存储芯片领域有着30多年从业经历的高级技术分析师 Jeongdong Choe 博士在会上分享了 DRAM 和 NAND 前沿技术的发展以及未来可能遭遇的挑战。

日前，三星在128层单堆栈产品的容量上（从256Gb到256Gb）不断实现突破，对此， Jeongdong Choe 在研讨会上表示，目前全球主要玩家在3D NAND 设计上都有不同程度的创新，比如三星的 COP 架构， SK 海力士的 PUC 架构，美光的 CuA 架构等等。

三星128层单堆栈3D NAND 的核心竞争力在于单堆栈，不同于英特尔等竞争对手的多 deck 集成，可以在深宽比( high aspect ration ）和 deck 与 deck 的对齐问题上做到最大限度的优化，在量产3D NAND 闪存产品中实现了世界上最小的单元间距，显示了单堆栈技术仍有巨大的发展潜力。