书籍：《炬丰科技-半导体工艺》

文章：金属镍在晶片上的沉积工艺

编号：JFKJ-21-087

作者：炬丰科技

  金属镍在晶片上的沉积是在 pH 8.0 的不同成分的 NiSO4 水溶液中进行的，无需外部电位控制。在不进行任何催化处理的情况下，在含有 NaH2PO2 作为还原剂、柠檬酸钠作为络合剂和 (NH4)2SO4 作为缓冲剂的常规化学镀中证实镍在氢封端的 Si的沉积代理人。发现镍的沉积也在没有还原剂中发生，甚至在由 NiSO4 和 (NH4)2SO4 组成的简单溶液中也发生。通过使用配备有能量色散 X 射线光谱仪的透射电子显微镜，检查由这些溶液沉积的薄膜的横截面，这表明文章全部详情：壹叁叁伍捌零陆肆叁叁叁在 Ni 沉积物和 Si 衬底之间形成了氧化硅。基于这些结果，讨论了在Si上化学镀Ni的整个过程的机理。

  各种各样的可用于在基板上形成金属膜的技术，例如化学气相沉积 (CVD)、溅射、蒸发、电沉积和无电沉积。在这些技术 中，无电沉积因其操作简单且成本低而备受关注。在半导体器件工业中，已经尝试利用该方法 用于描绘半导体结的无电沉积、制作欧姆接触、微图案集成电路。

  在过去几年中，已经尝试填充通孔和沟槽，以生产超大规模集成 (ULSI) 互连。在这种情况下，无电沉积比干法工艺（如 CVD 和溅射）更具吸引力，因为前一种方法的简单性和通孔填充能力。

  此外，通过化学沉积可以在硅片上制造直径约 10 nm 的金属点，这对于实现超高密度只读存储器或随机存储器具有很大的潜力。 发现使用聚焦离子束装置进行离子注入可以修改硅表面并启动化学镀金沉积。我们相信这种现象可用于在硅表面上制作小金属点。

实验性的    略

结果和讨论     略

结论    略