US1G-ASEMI高效恢复二极管US1G

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US1G在SMA封装里采用的1个芯片，其尺寸都是50MIL，是一款小电流、贴片高效恢复二极管。US1G的浪涌电流Ifsm为30A，漏电流(Ir)为5uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。US1G采用GPP芯片材质，里面有1颗芯片组成。US1G的电性参数是：正向电流(Io)为1A，反向耐压为1000V，正向电压(VF)为1.7V，恢复时间(Trr)达到100ns，其中有2条引线。

型号：US1G

封装：SMA

特性：小电流、贴片

电性参数：1A   1000V

芯片材质：GPP

正向电流(Io)：1A

芯片个数：1

正向电压(VF)：1.7V

芯片尺寸：50MIL

浪涌电流Ifsm：30A

漏电流(Ir)：5uA

工作温度：-40~+150℃

恢复时间(Trr)：100ns

引线数量：2

US1G贴片高效恢复封装系列。它的本体长度为4.6mm，整体长度为5.28mm，宽度为2.9mm，高度为2.62mm，脚宽度为1.6mm。

以上就是关于US1G-ASEMI高效恢复二极管US1G的详细介绍。ASEMI品牌在整流桥和二极管领域已有12年的专业经验，供应全系列高品质，高性能的整流桥和二极管产品。