高磁场型霍尔效应测试系统JH60B的技术参数

产品概述：      

       本仪器系统由：电磁铁、电磁铁电源、高精度恒流源高精度电压表、高斯计、霍尔效应样品支架、标准样品、系统软件。为本仪器系统专门研制的 JH10效应仪将恒流源，六位半微伏表及霍尔测量复杂的切换继电器——开关组装成一体，大大减化了实验的连线与操作。JH10可单独做恒流源、微伏表使用。用于测量半导体材料的载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等重要参数，而这些参数是了解半导体材料电学特性必须预先掌控的，因此霍尔效应测试系统是理解和研究半导体器件和半导体材料电学特性必*的工具。 实验结果由软件自动计算得到，可同时得到体载流子浓度(Bulk Carrier Concentration)、表面载流子浓度(Sheet Carrier Concentration)、迁移率(Mobility)、电阻率(Resistivity)、霍尔系数(HallCoefficient)、磁致电阻(Magnetoresistance)等。 此处只列出系统的主要技术指标。

可测试材料:   

半导体材料：SiGe, SiC, InAs, InGaAs, InP, AlGaAs, HgCdTe 和铁氧体材料等；

低阻抗材料：石墨烯、金属、透明氧化物、弱磁性半导体材料、TMR 材料等；  

高阻抗材料：半绝缘的 GaAs, GaN, CdTe 等。

技术指标： 

* 磁 场：10mm 间距为 2T ,20mm 间距为 1.3T 

* 样品电流：0.05uA~50mA(调节 0.1nA) 

* 测量电压：0.1uV~30V ▲ 提供各类测试标准材料，各级别硅与砷化镓（灵敏度与精度不同）

 **小分辨率：0.1GS 

* 磁场范围：0-1T 

* 配合高斯计或数采板可计算机通讯

 * I-V 曲线及 I-R 曲线测量等

 * 霍尔系数、载流子浓度等参数的变化曲线 

* 电阻率范围：5*10-5～5*102Ω.cm 

* 电阻范围：10 m Ohms~ 6MOhms 

* 载流子浓度：5*1012～51*1020cm-3

 *霍尔系数：±1*10-2～±1*106cm3/C 

* 迁移率：0.1~108 cm 2 /volt*sec 

*测试全自动化，一键处理