美光B47R闪存一出，英特尔要坐不住了

美光新闪存暴露英特尔PCIe 4.0缺陷：读取速度比AMD慢了285MB/s！

 自从英特尔和美光在闪存制造方面分道扬镳之后，美光就没少坑英特尔，先是威胁要卖掉唯一能制造3D XPoint闪存的工厂（英特尔需要该闪存制造傲腾SSD和持久内存），现在又通过176层堆叠的B47R闪存让英特尔尴尬了一把。下图就是采用美光B47R闪存的PCIe 4.0固态硬盘，目前处于上市前的工程样品阶段。

英特尔刚刚通过11代酷睿Rocket Lake将PCIe 4.0接口带到了自己的消费级电脑平台上，终于是追上了AMD在硬盘吞吐性能上的速度，甚至还利用CPU节能关闭得比较到位的优势，在4K随机读写上性能上取得大幅领先。

但B47R闪存的出现，暴露了英特尔11代酷睿的一个缺陷：PCIe Payload Size只有256字节，而AMD平台则是512字节。受此影响，同一颗固态硬盘在AMD平台上的顺序读取速度将比英特尔平台快出285MB/s！

为什么之前没有人发现英特尔的这个问题，直到美光B47R闪存推出后才被曝光呢？简单来说这是闪存接口速率的影响。

包括三星980PRO和西数SN850在内的旗舰级PCIe 4.0固态硬盘所用的闪存接口都是1200MT/s规格的，8通道下恰好能发挥出7000MB/s出头的读取速度，英特尔的256字节Payload Size也看不出异样。而美光B47R的闪存接口速度达到了1600MT/s，8通道主控下PCIe 4.0 x4成为瓶颈，特别是Payload Size只有256字节的英特尔平台由于额外带宽开销更大，受到的影响更为明显。

虽然顺序读写速度因为自身缺陷而出现短板，英特尔的CPU目前还具备延迟上的优势，所以无论是4K随机读写速度还是PCMark 8/10存储测试，依然是英特尔平台大幅领先。只有等英特尔在第12代酷睿Alder Lake中支持512字节的PCIe Payload Size，才能补足顺序读写速度这一短板，真正趋于完善。

回到美光这个新闪存上来，B47R是美光第二代RG替换门架构闪存，176层堆叠，读写延迟相比上代闪存降低35%，ONFi闪存接口带宽提升33%。

美光176层闪存用在PCIe 4.0 x4接口下是有些性能过剩的，8通道配置下它可提供大约9500MB/s的闪存到主控数据传输带宽，或许PCIe 4.0 x8的企业级固态硬盘，或者未来PCIe 5.0 x4的下一代消费级固态硬盘（今年应该是没戏了）才能充分发挥它的潜能。