Triconex 3636R 增强型智能通信模件（EICM）非隔离型具有可比额定电压的CPU模块

一般来说，TRICONEX 3636R由于其较低的导通电压而具有固有的较低传导损耗(对于IGCT，约为1.8至2.2 V)。对于具有可比额定电压的IGBT，为2.8至3.5 V)。在最新IGBT的情况下，开关损耗是相当的或者最终略微降低(更高的导通损耗和更低的关断损耗)。因此，总体比较取决于应用的具体开关频率。

TRICONEX 3636R在我们结束之前，让我们看看半导体外壳的内部结构。图3显示了通常密封在陶瓷外壳内的典型IGCT晶片(左)和移除塑料外壳时的传统IGBT的结构(右)。

出于对生命的考虑，TRICONEX 3636R衰老当然是一个话题。对现场使用的半导体进行的研究、测试结果和分析表明，IGCT电源部件实际上不会老化。该装置具有圆盘结构(所谓的晶片),并且通过夹紧装置施加压力来产生电接触。这消除了引线接合的需要。此外，IGCT内部的材料在加热和冷却时有一定的“滑动”空间。在瑞士TRICONEX 3636R隧道施工期间，对矿井提升机应用中的VFD进行了特别分析。建造完成后，驱动装置退役，IGCTs被送回制造商处进行详细分析。调查显示几乎没有衰老的迹象。