NI温度采集卡PXle-4357 782118-01

NI温度采集卡PXle-4357 782118-01路电源抑制能力的方法有两种： 1.电源路径增加滤波；福建中海德公司陈陈 1800-500-6971 如图2.67。通常为电解电容、陶瓷电容的组合，部分情况可能增加铁氧体磁珠。其中，C1用作瞬态电流的电荷库抑制低频噪声，通常为10~100μF的电解电容。C2用作抑制高频电源噪声，通常为0.01~0.1μF低电感表面贴装陶瓷电容，并且PCB布局位置紧邻IC电源引脚摆放，然后通过短线路连接到大面积、低阻抗的地平面才能有效。  PCI-MIO-16E-4 (6040E) NI DAQ Card SCXI 1000 4-slot ELVIS USB-6251 Bundle (Academic) PCI-MIO-16XE-10 DAQ ts, FP-PWM 520 Module, 8Ch t cFP-TC-120 and cFP-CB-3 PCI-GPIB IEEE 488.2 VMI-MXI Module 181045-01 Rev E4 NI PCI-6013 16-bit analog DAQ GPIB-1014 VME Controller Card 181060-01 AT-GPIB Card IEEE 488.2 PCI-5102 Digitizer Scope DAQ Card AT-GPIB/TNT Plug & Play IEEE 488.2 图2.67电源去耦电路 2.放大器优先使用线性电源进行供电。 在选择线性电源时需要,重点关注开关电源的频率以及待选线性电源在该频率附近的电源抑制比性能。 如图4.2（a）是广大工程师所熟知的LDO 1117电源抑制比与频率关系，可见1117在1KHz处电源抑制比强，达到84dB,频率为100KHz的电源抑制比仅为40dB，高于100KHz的电源抑制比性能没有提供。