模拟电子技术基础 上交大 郑益慧主讲 P9结型场效应管和特性 笔记
郑老师杂谈：实际上大家应该高效率的学习而不是去拼时间，一定要是高效率的学习，这样才有意义.所谓的高效率有几个表现（红字是核心，其他的是闲谈）：
最短的时间完成最多的事。
千万不要积攒工作，我的事情太多了，我要把我的事情掰出来够三到五个人做，这个事情只要有一点点积累，死了，越积累越多，这是个恶性循环，积累到最后你是一个什么状态呢？叫一个死猪不怕开水烫。积攒之后你的心态一定会不好，学习上也是一样，今天不懂的地方这周一定要搞明白，积攒下来，这门课你越来越憎恨，到最后你能过就不错了
我觉得一个高效率让你保持战斗力的状态是什么呢？当日事当日毕，我今天宁可多花一点时间也要把今天的事情干完。
我参加所有的会议，除了万不得已，我是从来不会参加后面的旅游的，一结束我马上返回，我太害怕了，一天时间我后面得花两三天时间去补。那么多事情你是要去干的同学们，不是说你落了就可以落了的。
看懂不如说懂，说懂不如讲懂，所以讨论是非常非常重要的，如果能够相互讨论的话对一个问题的认识将加强很多倍，深度会加强非常多。
名场面：我把别人讲蒙了我懂了，然后我再和别人讲一遍，我建议你们加强相互讨论。
一.结构分析
上下两端加上去两个高浓度P，然后在N的两端，一端接的是s，一端接的是d。
中间一块N，左右两边都掺杂了一块P，上下两端是d和s，然后把两个P接在一起都给栅极g，栅极控制了两个P。
中间天生就有沟道，d和s是导通的。
二.工作原理
那我们怎么控制它呢？
gs之间加反向电压，耗尽层宽度增加，沟道变窄，反压不断增大，沟道不断变窄，当反压达到某一个程度的时候夹断。而我们固定为某一个Ugs的时候，沟道宽度就不变。这个和我们耗尽型绝缘栅场效应管非常相似，加反压让沟道变窄，但它结型场效应管这里用的是“PN结”，让他的耗尽层不断的夹啊夹，让沟道变窄。
注意：这里的夹断不是预夹断，是真的夹断，这个电压叫做Ugs（off），就和增强型绝缘栅型场效应管类似，它达到开启电压才能有沟道，才能谈后面的，这里它到达Ugs（off）就截止了，后面也没得谈。
那类似的，我们加Uds，它的变化是什么样的？
加电压之后，上面那个PN结变厚，电压越大，上面那个PN结越厚，到最后预夹断了。
和绝缘栅型场效应管是一样的，预夹断电压之前的区域是可变电阻区，你Ugs不变我电阻不变，一个Ugs对应一个固定电阻。
Uds和iD之间成正比。
当我出现预夹断之后，我iD电流就不变了，iD恒流了，这时候iD电流之和Ugs相关，这就是恒流区。
以上和绝缘栅型场效应管没啥区别，但是有一点不一样，耗尽型的绝缘栅场效应管的Ugs可以为正可以为负，增强型的绝缘栅型场效应管只能为正，这里的结型场效应管的Ugs只能为负，因为PN结只能反偏，如果加的是正向电压，PN结导通，结型场效应管就没用了，沟道什么的都不存在了，它可以>Ugs(off）但是Ugs不能>0。
我们来看看电阻：
绝缘栅型的时候Rgs非常大，趋向于无穷，因为栅极和谁都是绝缘的；在结型场效应管这里，PN结是反偏的，Rgs电阻也很高，只不过没有绝缘栅型那么高罢了，它最多有反偏的漏电流，反偏饱和电流罢了，绝缘栅更狠，人家几乎没电流。
谈一谈结型场效应管和耗尽型绝缘栅场效应管各自的优势区间：
结型场效应管的Rgs电阻不如耗尽型绝缘栅场效应管，还有漏电流，看来耗尽型绝缘栅场效应管能够完全取代结型场效应？也不是完全，结型场效应管更耐用一点，而绝缘栅场效应管更加娇贵一点，娇贵在那？绝缘栅的那层SiO2绝缘层特别薄，如果你没有很好的保护栅极，它的感应电荷就能把它击穿，两边聚集电荷形成电容，它又非常薄，容易击穿。
1.4.3场效应管的特性曲线和参数
一.特性曲线
1.转移特性曲线
我画的是转移曲线，恒流状态下Ugs和iD的关系
（a）转移特性曲线，得出的条件是，工作在恒流区，Uds足够大，不在恒流区是没有这种一一对应的关系的。可变电阻区iD的大小受两个因素影响，一个是Ugs决定的Rds的大小，一个是Uds的大小，Uds/Rds才是iD的大小。
我们为什么要在转移特性曲线上去取一个Ido？因为我们可以用这个写出这一段两个点之间的转移特性曲线方程，他们有这样的关系。
耗尽型Ugs的电压能从负到正，Ugs=0的时候，得到的是漏极饱和电流，他和增强型的转移特性曲线方程是一样的，只要把Ido换成漏极饱和电流Ids就行。
2.输出特性曲线
就三个区，
场效应管的放大，第一步，把它弄到恒流区里面，这里Ugs和iD是一一对应的，我让小信号去影响Ugs，三极管的本质你用一个小iB去控制了一个大的直流源的输出功率，场效应管也是一样的，本质还是控制一个大直流源的输出，放大也不是凭空产生的。
这是一个什么管？
首先它的iD是正的，是一个N型管，然后他是一个结型管，它Uds继续大的话，会把PN结击穿，所以它有一个击穿区。
从上到下的场效应管类型分别是：
N沟道结型场效应管
P沟道结型场效应管
N沟道增强型绝缘栅场效应管
N沟道耗尽型绝缘栅场效应管
P沟道增强型绝缘栅场效应管
P沟道耗尽型绝缘栅场效应管
怎么区分这几种管子的区别？
大的，结型和绝缘栅型，结型要么Ugs全正，要么Ugs全负；绝缘栅型有两种，一种耗尽型的跨越正负，一种增强型的有开启电压，只有增强型有开启电压，他没有夹断电压，结型和耗尽型天生有沟道，我得反着加电压让他夹断。
二.场效应管的参数
1.直流参数
（绝缘栅）MOS管Rgs的值是10的9次方，一千兆以上。
我们认为什么是绝缘？拿表去测，大于500兆Ω是绝缘。
2.交流参数
（1）跨导gm，就是转移特性曲线的斜率，跨导值越大，意味着可以用更小的栅源电压控制漏极电流发生更大的变化，意味着放大作用更大。
（2）极间电容:有栅源电容，极与极之间都有电容，这些电容等效出来是pf级别的，当出现高频的时候会出现问题，因为高频的话就相当于极间电容导通了。
3.极限参数
在选择元器件的时候要注意，大家回去自己看。
作业：
1.3.4晶体管的主要参数
1.3.5温度对晶体管参数的影响
1.3.6光电晶体管
作业题：1.9 1.12 1.16
（教材《模拟电子技术基础》董诗白 华成英主编）
