（合计1143字，用时55min——）

第四章 存储器

4.2主存储器

4.2.3随机存取存储器

分类：

1. 静态RAM

2. 动态RAM

a.静态RAM（Static RAM，SRAM）

a.1静态RAM基本单元电路

定义：存储器中用于寄存“0”和“1”代码的电路称为存储器的基本单元电路。

a.2静态RAM芯片举例

例子：Intel2114芯片的基本单元电路由6个MOS管组成。

a.3静态RAM读/写时序

• 读周期时序

• 在整个读周期中写允许信号始终为高电平；

• 读周期tRC：对芯片两次连续读操作的最小间隔时间；

• 读时间tA：从地址有效到数据稳定所需的时间，显然读时间小于读周期；

• 读时间小于读周期；

• tCO：从片选有效到输出稳定的时间；

• 当地址有效经tA后，且当片选有效经tCO后，数据才能稳定输出，这两者必须同时具备；

• 当地址有效后，经tA-tCO时间必须给出片选有效信号，否则信号不能出现在数据线上。

• 写周期时序

• 写周期tWC：对芯片连续进行两次写操作的最小间隔时间，包括：

• 滞后时间tAW；

• 写入时间tW；

• 写恢复时间tWR；

• 在有效数据出现前，RAM的数据线上存在着前一时刻的数据tOUT，故在地址线发生变化后，片选信号与写允许信号均需滞后tAW再有效；

• 写允许信号失效后，地址必须保持一段时间，称为写恢复时间。

b.动态RAM（Dynamic RAM，DRAM）

b.1动态RAM的基本单元电路

概念：

1. 分类：三管式&单管式；

2. 特点：

1. 靠电容存储电荷的原理来寄存信息；

2. 集成度更高；

3. 功耗更低。

b.2动态RAM芯片举例

例子：

• 三管动态RAM芯片

• 单管动态RAM芯片

b.3动态RAM时序

• 读时序

• 读工作周期是指动态RAM完成一次“读”所需的最短时间tCRD，也是行地址选通的一个周期。

• 写时序

• 写工作周期是指动态RAM完成一次“写”所需的最短时间tCWR，也是行地址选通的一个周期。

b.4动态RAM的刷新

含义：先将原存信息读出，再由刷新放大器形成原信息并重新写入的再生过程。

分类：

• 集中刷新：在规定的一个刷新周期内，对全部存储单元集中一段时间逐行进行刷新，此刻必须停止读/写操作。

• 分散刷新：对每行存储单元的刷新分散到每个存储周期内完成。

• 异步刷新：前两种方式的结合，它既可缩短“死时间”，又充分利用最大刷新间隔为2ms的特点。

c.动态RAM与静态RAM的比较

动态RAM的应用比静态RAM要广泛得多，原因如下：

1. 在同样大小的芯片中，动态RAM的集成度远高于静态RAM；

2. 动态RAM行、列地址按先后顺序输送，减少了芯片引脚，封装尺寸也减少；

3. 动态RAM的功耗比静态RAM小；

4. 动态RAM的价格比静态RAM的价格便宜。

动态RAM的缺点：

1. 由于使用动态元件（电容），因此它的速度比静态RAM低；

2. 动态RAM需要再生，故需配置再生电路，也需要消耗一部分功率，通常，容量不大的高速缓冲存储器大多用静态RAM实现。