三星3nm芯片已量产：采用全新的GAA晶体管架构

6月30日，三星电子在官网宣布，该公司已经开始在其位于韩国的华城工厂已经开始大规模生产3nm制程半导体芯片，是全球首家量产3nm芯片的公司。

根据三星官方介绍，在3nm芯片上，其放弃了前几代使用的FinFET架构，采用了新的GAA晶体管架构，大幅改善了芯片的功耗表现。

与5nm相比，新开发的3nm工艺能够降低45%的功耗，减少16%的面积，并同时提升23%的性能。

另外三星表示，第二代3nm GAA制造工艺也正在研发中，第二代工艺将使芯片功耗降低达50%，性能提高30%，面积减少35%。