模电|模拟电子技术基础|上海交通大学 郑益慧（讲课质量最好版本）版本一
P5雪崩击穿——齐纳击穿
效果：
稳压<4V，α<0（温度越高，稳压越低
稳压>7V，α>0（温度越高，稳压越高
原理：
- 齐纳击穿
- PN结掺杂浓度高 ->
- 耗尽层电压大，宽度小->
- 小反向电压->
- 电子能量大->电子隧穿->电流
- 雪崩击穿
- PN结掺杂浓度低 ->
- 耗尽层电压小，宽度大->
- 大反向电压->
- 电子能量大->撞破共价键->电流
总结：
对PN结施加反向电压，
掺杂浓度高的耗尽层窄->电子隧穿，稳压低。
掺杂浓度低的耗尽层宽->电子大力出奇迹，稳压高。
