《炬丰科技-半导体工艺》氮化镓PIN紫外探测器芯片研究

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》

文章：氮化镓PIN紫外探测器芯片研究

编号：JFKJ-21-304

作者：炬丰科技

摘要

  通过对氮化镓基 PIN 紫外探测器不同外延结构及芯片制备工艺的研究，发现探测器性能和外延层结晶质量及芯片制备工艺有很大的关系。采用 ITO 扩展电极制备的探测器反向漏电很大。光电流相对 ITO 透明电极有一定程度的降低，但能保证较低的暗电流，防止器件漏电。

关键词 ：探测器 ；紫外

引言

  氮化镓 (GaN) 基材料被称为第三代半导体，其光谱范围 覆盖了近红外到紫外多个波段，在半导体光电子学领域有重要的应用价值。GaN 基紫外探测器在军事和民用等方面具有广泛的应用 。

实验过程

2 结果与讨论

样品暗电流性能比较与分析

  图 1 为不同工艺条件下的暗电流曲线，从图中可以看出，条件 2、条件 4、条件 8 的暗电流较高，漏电较大。分析制备工 艺发现，这三个样品都以 ITO 作为电流扩展电极，其余均采用 Ni/Au 作为半透明电极。

结论     略